[發明專利]研磨用組合物及用該組合物研磨的方法

有效

• 申請號: 02103447.8
• 申請日: 2002-02-01
• 公開（公告）號: CN1369534A
• 公開（公告）日: 2002-09-18
• 發明（設計）人: 河瀨昭博;岡村正朗;井上穰
• 申請（專利權）人: 不二見株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 章鳴玉

1.研磨用組合物，其特征在于包含下述(a)～(d)項物質：

(a)二氧化硅；

(b)從堿金屬無機鹽、銨鹽、哌嗪、乙二胺組成的群中選擇的至少一種堿性物質；

(c)從以下通式[1]所示化合物及其鹽組成的群中選擇的至少一種螯合劑式中R₁及R₂表示相同或不同的低級亞烷基，n表示0～4的整數；及

(d)水。

2.如權利要求1所述的研磨用組合物，其特征還在于前述(a)二氧化硅是膠體二氧化硅。

3.如權利要求1或2所述的研磨用組合物，其特征還在于前述二氧化硅的平均粒徑為0.003～1μm、其濃度為相對于研磨用組合物全重量的0.05～30％。

4.如權利要求1至3中任何一項所述的研磨用組合物，其特征還在于前述(b)堿性物質的濃度為相對于研磨用組合物全重量的0.01～10％。

5.如權利要求1至4中任何一項所述的研磨用組合物，其特征還在于前述堿金屬無機鹽是從由氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫鈉及碳酸氫鉀組成的群中選擇的至少一種。

6.如權利要求1至5中任何一項所述的研磨用組合物，其特征還在于前述銨鹽是從由氫氧化銨、碳酸銨、碳酸氫銨、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氯化四甲銨、氯化四乙銨所組成的群中選擇的至少一種。

7.如權利要求1至6中任何一項所述的研磨用組合物，其特征還在于前述(c)螯合劑是從由丙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸及三亞乙基四胺六乙酸所組成的群中選擇的至少一種。

8.半導體晶片的研磨方法，其特征在于通過使用權利要求1至7中任何一項所述的研磨用組合物，防止研磨時過渡金屬對被研磨物的污染。

9.如權利要求8所述的研磨方法，其特征還在于前述半導體晶片是從由單晶硅、多晶硅、氧化硅及氮化硅所組成的群中選擇的至少一種。