[發(fā)明專利]磁性復(fù)制方法及磁性復(fù)制裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02103261.0
• 申請日: 2002-02-01
• 公開（公告）號: CN1372249A
• 公開（公告）日: 2002-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 青木理史;中三川純一;小松和則;西川正一
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G11B5/86
• 分類號: G11B5/86;G11B5/84
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種磁性復(fù)制方法，將在對應(yīng)基板表面的信息信號的部分由磁性層形成的磁性復(fù)制用主盤載體和接受復(fù)制的從屬介質(zhì)的磁性記錄介質(zhì)貼緊施加復(fù)制用磁場，

其特征為在從屬面的磁道方向施加磁場預(yù)先對從屬介質(zhì)在磁道方向進(jìn)行初始磁化后，使主盤載體和所述初始磁化后的從屬介質(zhì)貼緊，在從屬面的磁道方向施加復(fù)制用磁場，進(jìn)行磁性復(fù)制時(shí)，與復(fù)制用磁場的所述磁道方向的逆向磁場強(qiáng)度在從屬介質(zhì)的記錄面全區(qū)域中小于從屬介質(zhì)的矯頑磁力Hcs的1/2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性復(fù)制方法，其特征為所述復(fù)制用主盤載體的所述磁性層的矯頑磁力Hcm小于48kA/m(600Oe)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性復(fù)制方法，其特征為所述從屬介質(zhì)為圓盤狀磁性記錄介質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性復(fù)制方法，其特征為所述初始磁化方向與所述復(fù)制用磁場的施加方向大致為逆向。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性復(fù)制方法，其特征為所述信息信號為伺服信號。

6.一種磁性復(fù)制裝置，具有將在對應(yīng)基板表面的信息信號的部分由磁性層形成的磁性復(fù)制用主盤載體和接受復(fù)制的從屬介質(zhì)的磁性記錄介質(zhì)貼緊施加復(fù)制用磁場進(jìn)行磁性復(fù)制，

其特征為具有對和主盤載體貼緊的從屬介質(zhì)的磁道方向施加復(fù)制用磁場的磁場發(fā)生裝置，與該磁場發(fā)生裝置產(chǎn)生的復(fù)制用磁場的所述磁道方向逆向的磁場強(qiáng)度在從屬介質(zhì)記錄面的全區(qū)域小于從屬介質(zhì)的矯頑磁力Hcs的1/2。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性復(fù)制裝置，其特征為所述磁場發(fā)生裝置，既可以是電磁鐵裝置也可以是永久磁鐵裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性復(fù)制裝置，其特征為所述主盤載體的所述磁性層的矯頑磁力Hcm小于48kA/m(600Oe)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性復(fù)制裝置，其特征為所述從屬介質(zhì)為圓盤狀磁性記錄介質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁性復(fù)制裝置，所述磁場發(fā)生裝置，在沿所述從屬介質(zhì)的半徑方向延伸的范圍產(chǎn)生與磁道方向平行的磁場，

其特征為使所述從屬介質(zhì)和所述主盤載體貼緊及通過相對所述磁場發(fā)生裝置旋轉(zhuǎn)在所述從屬介質(zhì)的全面進(jìn)行磁性復(fù)制。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性復(fù)制裝置，其特征為還具有對所述從屬介質(zhì)的磁化在磁道方向進(jìn)行初始磁化的初始磁化裝置。

12.一種磁性復(fù)制方法，具有預(yù)先在磁道方向初始磁化的從屬介質(zhì)，和向該從屬介質(zhì)所要復(fù)制的信息對應(yīng)的具有凹凸圖案面的主盤載體的該凹凸圖案面貼緊，與所述初始磁化相反的方向施加復(fù)制用磁場，

其特征為預(yù)備多張的從屬介質(zhì)，將該多張的從屬介質(zhì)的各從屬介質(zhì)的磁道的中心調(diào)整一致的重疊狀態(tài)下，在該從屬介質(zhì)的磁道方向施加初期直流磁場對所述的多張從屬介質(zhì)同時(shí)進(jìn)行初始磁化，使所述預(yù)先在磁道方向初始磁化的從屬介質(zhì)的多張同時(shí)生成。