[發明專利]掩模、掩模的制造方法、有機電致發光裝置的制造方法、有機電致發光裝置

有效

• 申請號: 02102774.9
• 申請日: 2002-01-25
• 公開（公告）號: CN1367636A
• 公開（公告）日: 2002-09-04
• 發明（設計）人: 跡部光朗;紙透真一;黑澤龍一;四谷真一
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H05B33/10
• 分類號: H05B33/10;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1.一種掩模，該掩模是為了用真空蒸鍍法形成構成有機電致發光EL元件的結構層的薄膜圖形而使用的、具有對應于上述薄膜圖形的開口部的掩模，其特征在于：

該掩模由單晶硅構成，具有貫通孔作為上述開口部，上述貫通孔采用與晶向有依賴性的各向異性濕法刻蝕形成。

2.一種掩模，該掩模是為了采用真空蒸鍍法形成構成有機電致發光元件的結構層的薄膜圖形而使用的、具有對應于上述薄膜圖形的開口部的掩模，其特征在于：

該掩模由單晶硅構成，具有掩模面是單晶硅的(100)面、壁面的面取向為(111)的貫通孔作為上述開口部。

3.一種掩模，該掩模是為了在被成膜面上按照規定圖形形成薄膜而使用的、具有對應于上述圖形的開口部的掩模，其特征在于：

該掩模由單晶硅構成，

上述開口部的尺寸在掩模的厚度方向規定位置即邊界位置處對應于上述圖形的尺寸，從上述邊界位置朝向兩個掩模面比上述圖形增大，

從上述邊界位置到各掩模面的距離不同。

4.如權利要求3所述的掩模，其特征在于：

掩模面是單晶硅的(100)面，上述開口部有從上述邊界位置朝向各掩模面互相向相反的方向擴展的呈傾斜狀的兩個壁面，上述壁面中的至少一個的面取向是(111)。

5.如權利要求4所述的掩模，其特征在于：

具有形成了上述開口部的厚度薄的部分、以及不形成上述開口部的厚的部分。

6.一種掩模的制造方法，上述掩模是為了用真空蒸鍍法形成構成有機電致發光元件的結構層的薄膜圖形而使用的、具有對應于上述薄膜圖形的開口部的掩模，該掩模的制造方法的特征在于：

使用面取向為(100)的單晶硅襯底，通過進行利用了晶向依賴性的各向異性濕法刻蝕，形成壁面的面取向為(111)的貫通孔作為上述開口部。

7.如權利要求6所述的掩模的制造方法，其特征在于：

通過沿厚度方向刻蝕單晶硅襯底，在上述襯底面內的一部分上形成了厚度恒定的厚度薄的部分后，通過利用了晶向依賴性的各向異性濕法刻蝕，在該厚度薄的部分形成貫通孔。

8.一種掩模的制造方法，上述掩模是為了在被成膜面上形成規定的圖形而使用的、具有對應于上述圖形的開口部的掩模，該掩模的制造方法的特征在于：

使用在一個面上依次形成絕緣膜和單晶硅膜的襯底，在該襯底面內的至少一部分沿厚度方向的全體將其除去，同時對該襯底被除去的部分的單晶硅膜進行各向異性刻蝕，形成貫通孔作為上述開口部。

9.一種掩模的制造方法，其特征在于：

在權利要求5所述的掩模的制造方法中，

通過沿厚度方向刻蝕面取向為(100)面的單晶硅襯底，在上述襯底面內的一部分上形成厚度恒定的厚度薄的部分，

在上述厚度薄的部分的第一面上形成具有對應于上述開口部的貫通孔的第一保護膜圖形，

在上述厚度薄的部分的第二面上形成具有對應于上述開口部的凹部的第二保護膜圖形，

在該狀態下，通過利用了晶向依賴性的各向異性濕法刻蝕，在對應于上述厚度薄的部分的上述開口部的位置形成貫通孔，以便在上述第一面處的尺寸比在上述開口部的上述邊界位置處的尺寸大，而且在上述第二面處的尺寸比在上述開口部的上述邊界位置處的尺寸及上述凹部的尺寸小，

其次，在除去上述凹部的厚度部分的條件下，通過進行濕法刻蝕，在上述凹部成為貫通孔的第三保護膜圖形上構成上述第二保護膜圖形，同時形成保護膜存在于上述第一面上的狀態，

在該狀態下，通過利用了晶向依賴性的各向異性濕法刻蝕，使從上述第三保護膜圖形上的貫通孔露出的上述厚度薄的部分在上述邊界位置處的尺寸達到規定尺寸為止。

10.一種有機電致發光裝置的制造方法，其特征在于：

作為采用真空蒸鍍法形成構成有機電致發光元件的結構層的薄膜圖形時的掩模，使用權利要求1至5中的任意一項所述的掩模、或使用采取權利要求6至9中的任意一項所述的掩模制造方法獲得的掩模。

11.一種有機電致發光裝置，其特征在于：

該有機電致發光裝置采用權利要求10所述的方法制造。