[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02102570.3
• 申請(qǐng)日: 2002-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN1369912A
• 公開（公告）日: 2002-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諫田誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普公司
• 主分類號(hào): H01L23/50
• 分類號(hào): H01L23/50;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳,葉愷東

1.一種半導(dǎo)體集成電路，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有分別限定在其正表面上的多個(gè)凸起電極形成區(qū)和凸起電極非形成區(qū)；

第一電極焊盤，形成在凸起電極非形成區(qū)中；

第二電極焊盤，形成在每個(gè)凸起電極形成區(qū)中；以及

凸起電極，形成在每個(gè)第二電極焊盤上；

其中在利用電鍍形成凸起電極中第一電極焊盤用于將電鍍電流經(jīng)過半導(dǎo)體襯底供給第二電極焊盤。

2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中凸起電極非形成區(qū)包括分別形成有第一電極焊盤的多個(gè)凸起電極非形成區(qū)。

3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，第一電極焊盤形成在第二電極焊盤的附近。

4.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體襯底包括在半導(dǎo)體襯底的背表面上的金屬膜。

5.一種制備如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路的方法，該方法包括如下步驟：

在半導(dǎo)體襯底(晶片)的正表面上限定多個(gè)凸起電極形成區(qū)和凸起電極非形成區(qū)，凸起電極形成區(qū)與半導(dǎo)體襯底絕緣，凸起電極非形成區(qū)與半導(dǎo)體襯底相導(dǎo)電；

在凸起電極非形成區(qū)中形成第一電極焊盤；

在每個(gè)凸起電極形成區(qū)中形成第二電極焊盤；

形成導(dǎo)電層，用于在半導(dǎo)體襯底上連接第一電極焊盤和第二電極焊盤；

用光致抗蝕劑膜覆蓋除第二電極焊盤之外的半導(dǎo)體襯底的正表面；

經(jīng)過半導(dǎo)體襯底、第一電極焊盤和導(dǎo)電層，從半導(dǎo)體襯底的背表面將電鍍電流供給第二電極焊盤；

利用電鍍，在每個(gè)第二電極焊盤上形成凸起電極；以及

從半導(dǎo)體襯底去除光致抗蝕劑膜和導(dǎo)電層。

6.按照權(quán)利要求5所述的方法，其中限定凸起電極非形成區(qū)的步驟包括在半導(dǎo)體襯底的正表面上限定多個(gè)凸起電極非形成區(qū)的步驟，而形成第一電極焊盤的步驟包括在每個(gè)凸起電極非形成區(qū)中形成第一電極焊盤的步驟。

7.按照權(quán)利要求5所述的方法，其中形成第一電極焊盤的步驟包括在第二電極焊盤的附近形成第一電極焊盤的步驟。

8.按照權(quán)利要求5所述的方法，還包括在半導(dǎo)體襯底的背表面上形成金屬膜的步驟，

其中電鍍電流經(jīng)金屬膜提供。

9.一種半導(dǎo)體集成電路，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有分別限定在其表面上的凸起電極形成區(qū)和凸起電極非形成區(qū)；

第一電極焊盤，形成在凸起電極非形成區(qū)中；

第二電極焊盤，形成在每個(gè)凸起電極形成區(qū)中；以及

凸起電極，形成在第二電極焊盤上；

其中在利用電鍍形成凸起電極中第一電極焊盤用于將電鍍電流經(jīng)過半導(dǎo)體襯底供給第二電極焊盤。