[發明專利]用于倍增頻率的方法和設備

無效

• 申請號: 02102459.6
• 申請日: 2002-01-22
• 公開（公告）號: CN1367578A
• 公開（公告）日: 2002-09-04
• 發明（設計）人: 渡邊秀樹;澤村誠;末岡和久;武笠幸一;中根了昌
• 申請（專利權）人: 北海道大學
• 主分類號: H03B19/00
• 分類號: H03B19/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 鄭修哲

1.一種倍增頻率的方法，包含如下步驟：

制備具有其固有共振頻率的鐵磁體薄膜，

導入輸入頻率等于所述鐵磁體薄膜的共振頻率的電磁波，從而在鐵磁體薄膜內產生鐵磁共振，使導入的所述電磁波的所述輸入頻率倍增。

2.如權利要求1所述的倍增方法，其特征在于導入的所述電磁波的所述輸入頻率通過所述鐵磁體薄膜的鐵磁共振增加兩倍。

3.如權利要求1所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜由單晶Co薄膜制成。

4.如權利要求3所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜的厚度為0.5-5nm。

5.一種倍增頻率的方法，包含如下步驟：

將具有其固有共振頻率的鐵磁體薄膜布置在空腔諧振器內，

從所述空腔諧振器上形成的孔口將輸入頻率等于所述鐵磁體薄膜共振頻率的電磁波導入所述空腔諧振器，從而在所述鐵磁體薄膜內產生鐵磁共振，使所述電磁波的輸入頻率倍增，

將具有所述倍增的頻率的所述電磁波從所述空腔諧振器上形成的縫隙發出。

6.如權利要求5所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜由單晶Co薄膜制成。

7.如權利要求6所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜的厚度為0.5-5nm。

8.一種倍增頻率的方法，包含如下步驟：

依次布置多個具有各自固有共振頻率對應于所述共振頻率的大小的鐵磁體薄膜，

將一電磁波導入所述鐵磁體薄膜之一，所述電磁波的輸入頻率等于所述鐵磁體薄膜的所述之一的共振頻率，從而通過所述鐵磁體薄膜的所述之一的鐵磁共振倍增所述的輸入頻率，

將具有所述倍增頻率的所述電磁波依次導入與所述鐵磁體薄膜的所述之一相鄰的鐵磁體薄膜，從而對所述電磁波的所述輸入頻率進行多次倍增。

9.如權利要求7所述的倍增方法，其特征在于所述電磁波的所述輸入頻率在每一個所述鐵磁體薄膜處倍增兩倍。

10.如權利要求8所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜由單晶Co薄膜制成。

11.如權利要求10所述的倍增方法，其特征在于所述鐵磁體薄膜的厚度為0.5-5nm。

12.一種倍增頻率的設備，包含：

空腔諧振器，

位于所述空腔諧振器內的鐵磁體薄膜，

所述空腔諧振器包括導入具有給定輸入頻率的電磁波的孔口和在倍增所述輸入頻率之后將所述電磁波從所述空腔諧振器發出的縫隙。

13.如權利要求12所述的倍增設備，其特征在于所述鐵磁體薄膜由單晶Co薄膜制成。

14.如權利要求13所述的倍增設備，其特征在于所述鐵磁體薄膜的厚度為0.5-5nm。

15.如權利要求12所述的倍增設備，其特征在于所述電磁波的所述輸入頻率倍增兩倍。