[發(fā)明專利]監(jiān)測用于半導(dǎo)體生長的拉晶機中氣態(tài)環(huán)境的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01822052.5 | 申請日： | 2001-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN1486374A | 公開（公告）日： | 2004-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·D·霍爾德;S·K·麥夸爾;M·J·伯格 | 申請（專利權(quán)）人： | MEMC電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B15/00;G01M3/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 馬江立;吳鵬 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 監(jiān)測 用于 半導(dǎo)體 生長 拉晶機中 氣態(tài) 環(huán)境 方法 | ||
【說明書】：
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