[發(fā)明專利]微電子裝置制造中用于有機(jī)聚合物電介質(zhì)的硬面層的有機(jī)硅酸鹽樹脂在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 01814521.3 | 申請日： | 2001-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN1447981A | 公開（公告）日： | 2003-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | E·O·謝弗二世;K·E·霍華德;J·J·M·韋特盧斯;J·E·黑茨內(nèi)爾;P·H·湯森三世;L·K·米爾斯;S·岡巴爾－費(fèi)特內(nèi)爾;L·R·威爾遜 | 申請（專利權(quán)）人： | 陶氏環(huán)球技術(shù)公司 |
| 主分類號： | H01L21/312 | 分類號： | H01L21/312;C09D183/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 程偉 |
| 地址： | 暫無信息 | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微電子 裝置 制造 用于 有機(jī) 聚合物 電介質(zhì) 面層 硅酸鹽 樹脂 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
