[發明專利]性能改善的雙擴散金屬氧化物半導體的晶體管結構有效
| 申請號： | 01805807.8 | 申請日： | 2001-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN1416597A | 公開（公告）日： | 2003-05-07 |
| 發明（設計）人： | 石甫淵;蘇根政;崔炎曼 | 申請（專利權）人： | 通用半導體公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 張天舒,謝麗娜 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 性能 改善 擴散 金屬 氧化物 半導體 晶體管 結構 | ||
【權利要求書】：
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