[發(fā)明專利]電元件的封裝和制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01805044.1 | 申請日: | 2001-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN1401136A | 公開(公告)日: | 2003-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | W·帕爾;W·菲舍爾 | 申請(專利權(quán))人: | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H03H9/10 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 蔡民軍,趙辛 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 元件 封裝 制造 方法 | ||
1.根據(jù)電元件的敏感的元件結(jié)構(gòu)(2)選擇的封裝方法包括如下步驟:
-在具有敏感元件結(jié)構(gòu)的元件襯底(1)的表面上進行整個面積的離心涂覆第一層液態(tài)的光敏反應(yīng)樹脂層(3);
-進行這個第一反應(yīng)樹脂層的按圖像的曝光和顯影,其中一個包封元件結(jié)構(gòu)(2)的框架結(jié)構(gòu)(6)保留下來;
-在襯底(1)的整個框架結(jié)構(gòu)(6)上繃緊一層輔助薄膜(7);
-在框架結(jié)構(gòu)(6)的上方范圍內(nèi)的該輔助薄膜的表面上這樣產(chǎn)生第二蝕刻的反應(yīng)樹脂層,即保留用框架(6)覆蓋的并與之共同構(gòu)成一個空腔的頂蓋結(jié)構(gòu)(10);
-去掉頂蓋結(jié)構(gòu)(10)之間的外露區(qū)域內(nèi)的輔助薄膜(7)。
2.按權(quán)利要求1的方法,
在這種方法中,產(chǎn)生第二蝕刻反應(yīng)樹脂層8包括下列步驟:
-在輔助薄膜(7)的表面的整個面積上離心涂覆一層光敏的液態(tài)的第二反應(yīng)樹脂層(8);
-進行這個第二反應(yīng)樹脂層的按結(jié)構(gòu)的曝光和顯影,其中保留與框架(6)一致的并與它一起構(gòu)成一個空腔的頂蓋結(jié)構(gòu)(10)。
3.按權(quán)利要求2的方法,
在該方法中,第一和/或第二反應(yīng)樹脂層(3,8)的按結(jié)構(gòu)的曝光是通過用一個激光器(4)的掃描來實現(xiàn)的。
4.按權(quán)利要求1或2的方法,
在該方法中,曝光后的第一和/或第二反應(yīng)樹脂層(3,8)的顯影用一種液成顯影劑進行。
5.按權(quán)利要求1的方法,
在該方法中,第二蝕刻的反應(yīng)樹脂層(8)用一種印刷方法蝕刻在輔助薄膜(7)上。
6.按權(quán)利要求5的方法,
在這種方法中,頂蓋結(jié)構(gòu)(10)用一種絲網(wǎng)印刷法或掩膜印刷法產(chǎn)生并隨即硬化。
7.按權(quán)利要求1~6任一項的方法,
在該方法中,作為輔助薄膜(7)使用一種薄的塑料薄膜。
8.按權(quán)利要求1~7任一項的方法,
在該方法中,塑料薄膜(7)與框架結(jié)構(gòu)(6)粘接或焊接。
9.按權(quán)利要求1~8任一項的方法,
在該方法中,去掉外露在框架結(jié)構(gòu)之間的輔助薄膜(7)是通過用一種等離子體進行灰化處理來實現(xiàn)的。
10.按權(quán)利要求1~8的方法,
在該方法中,去掉外露在框架結(jié)構(gòu)之間的輔助薄膜(7)是通過用一種該輔助薄膜的溶劑來進行的。
11.按權(quán)利要求1~10任一項的方法,
在該方法中,在進行第一反應(yīng)樹脂層(3)的按結(jié)構(gòu)的曝光和顯影時,除了構(gòu)成框架結(jié)構(gòu)(6)外,還構(gòu)成衰減結(jié)構(gòu)。
12.按權(quán)利要求1~11任一項的方法,
在該方法中,輔助薄膜(7)選用聚酰胺,聚對苯二甲酸乙二酯薄膜或聚碳酸酯薄膜并具有0.5~5微米的厚度。
13.按權(quán)利要求1~12任一項的方法,
在這種方法中,第一和第二反應(yīng)樹脂層(3,8)包括一種紫外線硬化的環(huán)氧樹脂。
14.具有敏感元件結(jié)構(gòu)(2)的電元件在一個襯底(1)上的封裝包括:
-一個在該襯底上用硬化反應(yīng)樹脂制成的、包封這些敏感元件結(jié)構(gòu)的框架結(jié)構(gòu)(6),和
-一個罩,該罩覆蓋框架結(jié)構(gòu)(6)并與之構(gòu)成一個空腔并由一層塑料薄膜(11)和一層設(shè)置其上的硬化的反應(yīng)樹脂層(10)組成。
15.按權(quán)利要求11的封裝,
塑料薄膜(7)包括一種熱塑性塑料,選用聚酰胺,聚對苯二甲酸乙二酯或聚碳酸酯。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





