[發明專利]在單面上帶塊形連接的垂直導電倒裝芯片式器件無效
| 申請號： | 01804908.7 | 申請日： | 2001-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN1401141A | 公開（公告）日： | 2003-03-05 |
| 發明（設計）人： | D·M·金策;A·阿祖曼仰;T·薩蒙 | 申請（專利權）人： | 國際整流器有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/148 | 分類號： | H01L27/148;H01L29/768;H01L29/80;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/40;H01L27/082;H01L27/08;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 面上 帶塊形 連接 垂直 導電 倒裝 芯片 器件 | ||
1.一種倒裝芯片式半導體器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片內的至少一個P區和至少一個N區，這兩個區在所述硅晶片內的PN結處相交；在所述第一主面上形成并彼此絕緣且分別同所述的P區和所述的N區連接的第一和第二共面的水平隔開和金屬化的區域；有意對所述的第二主面粗糙化以確定用于改進所述半導體器件的對流冷卻的延展面積。
2.一種倒裝芯片式半導體器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片內的至少一個P區和至少一個N區，這兩個區在所述硅晶片內的PN結處相交；在所述第一主面上形成并與另一個主面絕緣且分別同所述的P區和所述的N區連接的第一和第二共面的水平隔開和金屬化的區域；以及延展在所述第二主面上的金屬化底層。
3.權利要求1的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金屬化層，該第三金屬化層與所述的第一和第二金屬化層共面，且同它們水平隔開；所述的第一、第二和第三金屬化層分別包含MOS門控器件的源極、漏極和柵極。
4.權利要求2的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金屬化層，該第三金屬化層與所述的第一和第二金屬化層共面，且同它們水平隔開；所述的第一、第二和第三金屬化層分別包含MOS門控器件的源極、漏極和柵極。
5.權利要求1的器件，其特征在于，還包括與每個所述的金屬化層連接的至少一個連接塊。
6.權利要求2的器件，其特征在于，還包括與每個所述的金屬化層連接的至少一個連接塊。
7.權利要求3的器件，其特征在于，還包括與每個所述的金屬化層連接的至少一個連接塊。
8.權利要求4導器件，其特征在于，還包括與每個所述的金屬化層連接的至少一個連接塊。
9.權利要求2的器件，其特征在于，所述的金屬化底層實質上比所有所述的第一和第二金屬化層都厚。
10.權利要求4的器件，其特征在于，所述的金屬化底層實質上比所有所述的第一和第二金屬化層都厚。
11.權利要求6的器件，其特征在于，所述的金屬化底層實質上比所有所述的第一和第二金屬化層都厚。
12.權利要求8的器件，其特征在于，所述的金屬化底層實質上比所有所述的第一和第二金屬化層都厚。
13.權利要求5的器件，其特征在于，多個連接塊與每個所述的第一和第二金屬化層連接；所述的多個連接塊同沿著第一直行排列的所述第一金屬化層連接；所述的多個連接塊同沿著第二直行排列的所述第二金屬化層連接。
14.權利要求13的器件，其特征在于，所述的第一和第二行彼此互相平行。
15.權利要求6的器件，其特征在于，多個連接塊同每一個所述的第一和第二金屬化層連接；所述的多個連接塊同所述的沿著第一直行排列的第一金屬化層連接；所述的多個連接塊同所述的沿著第二直行排列的第二金屬化層連接。
16.權利要求15的器件，其特征在于，所述的第一和第二行彼此互相平行。
17.權利要求13的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金屬化層，該第三金屬化層與所述的第一和第二金屬化層共面，且同它們水平隔開；所述的第一、第二和第三金屬化層分別包含MOS門控器件的源極、漏極和柵極。
18.權利要求14的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金屬化層，該第三金屬化層與所述的第一和第二金屬化層共面，且同它們水平隔開；所述的第一、第二和第三金屬化層分別包含MOS門控器件的源極、漏極和柵極。
19.一種倒裝芯片式半導體器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片內的至少一個P區和至少一個N區，這兩個區在所述硅晶片內的PN結相交；在所述第一主面上形成并彼此絕緣且分別同所述的P區和所述的N區連接的第一和第二共面的水平隔開和金屬化的區域；多個連接于每一個所述第一和第二金屬化層的連接塊；多個連接于沿著第一直行排列的所述第一金屬化層的連接塊；所述的多個連接于沿著第二直行排列的所述第二金屬化層的連接塊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
