[發明專利]具有最佳鍺分布的硅鍺雙級晶體管

有效

• 申請號: 01803892.1
• 申請日: 2001-01-08
• 公開（公告）號: CN1395745A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發明（設計）人: W·克賴恩;R·拉奇納;W·莫爾齊
• 申請（專利權）人: 因芬尼昂技術股份公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 程天正,張志醒

1.硅-鍺雙極晶體管，其中，在硅襯底(7)內形成第一n摻雜發射極區1和與其相接的第二p摻雜的基極區(2)和與其相接的第三n摻雜的集電極區(3)，在發射極區(1)和基極區(2)之間形成第一空間電荷區(4)，以及在基極區(2)和集電極區(3)之間形成第二空間電荷區(5)，其中，基極區(2)和相鄰的發射極區(1)的邊緣區與鍺形成合金，發射極區(1)的鍺濃度(6)朝基極區(2)方向上升，第一空間電荷區(4)所在的結區內的鍺濃度比發射區(1)稍微強烈地上升或下降，而基極區(2)內的鍺濃度(6)比結區首先更強烈地上升。

2.根據權利要求1所述的硅-鍺雙極晶體管，其中，第一空間電荷區(4)所在的結區內的鍺濃度(6)是常量。

3.根據權利要求1所述的硅-鍺雙極晶體管，其中，第一空間電荷區(4)所在的結區內的鍺濃度(6)線性下降。

4.根據權利要求1到3所述的硅-鍺雙極晶體管，其中，發射極區(1)和集電極區(3)被p摻雜，而基極區(2)被n摻雜。