[發明專利]半導體激光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 01803096.3
• 申請日: 2001-07-03
• 公開（公告）號: CN1393047A
• 公開（公告）日: 2003-01-22
• 發明（設計）人: 松本晃廣;厚主文弘;川戶伸一
• 申請（專利權）人: 夏普公司
• 主分類號: H01S5/16
• 分類號: H01S5/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 李曉舒,魏曉剛

1.一種半導體激光元件，其在襯底上包括至少一第一導電類型的第一包層、一有源層、一第二導電類型的第二包層、具有在諧振腔方向上延伸的條形缺陷部分的一電流阻擋層、掩埋在電流阻擋層的條形缺陷部分內的一第二導電類型的第三包層、以及設置在第三包層上的一第二導電類型的保護層，其中

有源層包括至少一鄰近其一端面的窗口區、以及具有一量子阱結構的一內部區，以及

對立于內部區域的部分用離子化的原子從設置在第二導電類型的第二包層側上的層的表面輻照，其后經歷熱處理。

2.一種半導體激光元件，其在襯底上包括至少一第一導電類型的第一包層、一有源層、一第二導電類型的第二包層、具有在諧振腔方向上延伸的條形缺陷部分的一電流阻擋層、掩埋在電流阻擋層的條形缺陷部分內的一第二導電類型的第三包層、以及設置在第三包層上的一第二導電類型的保護層，其中

有源層包括至少一鄰近其一端面的窗口區、以及具有一量子阱結構的一內部區，

來自有源層的窗口區的光致發光的峰值波長λ_w相對于來自有源層的內部區域的光致發光的峰值波長λ_i具有關系：

?????????????????λ_w≤λ_i-5nm，以及

來自窗口區的光致發光的半寬度比來自內部區域的光致發光的半寬度窄。

3.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中

與窗口區相對的部分的第二導電類型保護層的層厚度大于與內部區相對的部分的第二導電類型保護層的層厚度。

4.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中

屬于窗口區且在諧振腔方向上延伸的長度Lw不小于10μm。

5.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中

構成量子阱結構的量子阱層的厚度的總值不大于40nm。

6.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中

第一導電類型的電流注入防止層設置在與第二導電類型保護層上的窗口區相對的部分中。

7.如權利要求6所述的半導體激光元件，其中

屬于第一導電類型電流注入防止層且在諧振腔的方向上延伸的長度Lp相對于Lw具有關系：

?????????????????????????Lw≤Lp。

8.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中

相對于條形缺陷部分的窗口區的部分的寬度比相對于內部區域的部分的寬度寬。

9.一種半導體激光元件的制造方法，包括步驟：形成DH晶片，其中在一襯底上疊放有至少一第一導電類型的第一包層、一有源層和一第二類型的第二包層；在布置在DH晶片的第二包層側上的一層的一部分表面上形成一第一電介質膜；將離子化的原子澆注到屬于晶片的且其上形成有第一電介質膜的一側上；以及使澆注有離子化原子的DH晶片經受熱處理，籍此

設置在DH晶片的第二包層側上的層的表面在DH晶片經受熱處理前被蝕刻。

10.如權利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其中

離子化的原子被澆注到第一電介質膜側上的DH晶片表面上，同時蝕刻設置在DH晶片的第二包層側上的層的表面。

11.如權利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其中

在離子化的原子被澆注到第一電介質膜側上的DH晶片表面上之后，形成第二電介質膜，以覆蓋整個晶片表面。

12.如權利要求11所述的半導體激光元件的制造方法，其中

在形成第二電介質膜之后，DH晶片經受熱處理。

13.如權利要求11所述的半導體激光元件的制造方法，其中

離子化的原子被澆注到第一電介質膜側上的DH晶片表面上，同時形成第二電介質膜。

14.如權利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其中

離子化的原子是選自包括氬、氧和氮的組中的一種或多種原子。

15.如權利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其中

第二電介質膜通過澆注離子化的原子而形成在屬于晶片表面且其上未形成有第一電介質膜的部分上。