[發明專利]具有分離記錄層的光信息介質無效
| 申請號: | 01802697.4 | 申請日: | 2001-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN1388962A | 公開(公告)日: | 2003-01-01 |
| 發明(設計)人: | E·R·梅恩德斯;H·J·博格 | 申請(專利權)人: | 皇家菲利浦電子有限公司 |
| 主分類號: | G11B7/24 | 分類號: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陳景峻,張志醒 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 分離 記錄 信息 介質 | ||
1.一種能夠用激光光束(14,15)可重寫地記錄的光信息介質,所述介質包括一個襯底(1),在其一側具有:
-第一記錄堆棧(8),包括夾在兩個絕緣層(9,11)之間的一個相位改變類型的記錄層(10),
-第二記錄堆棧(2),包括夾在兩個絕緣層(4,6)之間的一個相位改變類型的記錄層(5),
-透明的間隔層(7),位于第一(8)和第二(2)記錄堆棧之間,并具有大于激光光束(14,15)的聚焦深度的厚度,和
-鄰近第二記錄堆棧(2)的金屬鏡層(3)其位于第二記錄堆棧(2)遠離所述透明間隔層(7)的一側,
其特征在于
-第一記錄堆棧(8)包括一相位改變類型的記錄層(10),此記錄層是從生長支配結晶種類和成核支配結晶種類中選擇的一種,
-第二記錄堆棧(2)包括一相位改變類型的記錄層(5),此記錄層的種類不同于第一記錄堆棧(8)所選擇的種類。
2.如權利要求1中的光信息介質,其特征在于第一記錄堆棧(8)包括一相位改變類型的記錄層(10),其種類從以下兩種結晶種類中選擇:生長支配的結晶種類,包括Q,In,Sb和Te的化合物,其中Q從Ag和Ge基中選擇一種;和成核支配的結晶種類,包括Ge,Sb和Te的化合物。
3.如權利要求2中的光信息介質,其特征在于所述Q,In,Sb和Te的化合物的原子構成是由化學式QaInbSbcTed決定的,且0<a≤15,0<b≤6,55≤c≤80,16≤d≤35,a+b+c+d=100。
4.如權利要求2中的光信息介質,其特征在于所述Ge,Sb和Te的化合物的原子構成是由三種構成元素的框圖Ge-Sb-Te中的區域決定的,所述區域是四邊形的形狀,并具有頂點:Sb3Te7,Ge2Te3,Ge3Te2,和SbTe。
5.如權利要求4中的光信息介質,其特征在于所述Ge,Sb和Te的化合物的原子構成是由化學式Ge50XSb40-40XTe60-10X決定的,且0.166≤X≤0.444。
6.如權利要求1,2,3,4或5中的光信息介質,其特征在于第一記錄堆棧(8)的相位改變類型的記錄層(10)的厚度在5至15nm之間,且第二記錄堆棧(2)的相位改變類型的記錄層(5)的厚度在10至35nm之間。
7.如權利要求1的光信息介質,其特征在于所述透明間隔層(7)的厚度為至少10微米。
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