[發(fā)明專利]一種具有多孔絕緣層和空氣隙的半導體設備的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01802641.9 | 申請日： | 2001-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN1388989A | 公開（公告）日： | 2003-01-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | W·F·A·貝斯林;C·A·H·A·穆特塞爾斯;D·J·格拉維斯泰恩 | 申請（專利權(quán)）人： | 皇家菲利浦電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張志醒 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 多孔 絕緣 空氣 半導體設備 制造 方法 | ||
1.一種半導體設備的制造方法，該方法包括一個雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)(20)，此雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)包括一個金屬層(1)及位于金屬層(1)之上的帶有通路(3)的第一絕緣層(2)，在第一絕緣層(2)之上，帶有互連槽(6)的第二絕緣層(5)，其中通路(3)和互連槽(6)中存在有頂面(10)的金屬線路(9)形成的金屬，其特征在于，所述方法還包括以下步驟
-去除第二絕緣層(5)，
-在第一絕緣層(2)和金屬線路(9)上添加可移除層(12)，
-將可移除層(12)與金屬線路(9)的頂面(10)對齊，
-在可移除層(12)上添加一個多孔絕緣層(13)，
-通過多孔絕緣層(13)去除可移除層(12)來形成空氣隙(14)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在第一絕緣層(2)和第二絕緣層(5)之間添加一個侵蝕阻擋層(4)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所用的金屬為銅。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在去除第二絕緣層(5)后，在金屬線路(9)之上覆蓋一層非導電阻擋層(11)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，用氮化硅或碳化硅作為非導電阻擋層(11)。
6.如以上任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，用一種旋制涂覆材料作為多孔絕緣層(13)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，旋制涂覆材料包括SiLK。
8.如權(quán)利要求1至5中的任一所述的方法，其特征在于，用一個等離子CVD層作為多孔絕緣層(13)。
9.如以上任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，可移除層(12)包括一種聚合物，并且可移除層(12)的移除過程包括一個加熱的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
