[發(fā)明專利]磁復(fù)制方法及磁復(fù)制裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01802244.8
• 申請日: 2001-03-28
• 公開（公告）號: CN1386267A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋秀幸;浜田泰三;石田達(dá)朗;東間清和
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/86
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉宗杰,王忠忠

1.一種磁復(fù)制方法，其特征在于：

包括準(zhǔn)備磁盤的工序1；

在上述磁盤上形成潤滑劑層的工序2；

使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上，通過施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上的工序3；以及

對上述磁盤的至少與上述磁復(fù)制用主盤緊密接觸的一側(cè)表面進(jìn)行拋光處理的工序4，

上述各工序按照上述工序1、上述工序4、上述工序2、上述工序4、上述工序3的順序進(jìn)行。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)制方法，其特征在于：工序1之后實(shí)施拋光處理的工序4中的研磨構(gòu)件對上述磁盤的按壓力比工序2之后拋光處理中的按壓力大。

3.一種磁復(fù)制方法，其特征在于：

包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上的工序；

通過對互相緊密接觸的上述磁復(fù)制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上的工序；以及

用光學(xué)方法檢測上述磁盤表面上的缺陷的缺陷檢測工序，

在由上述缺陷檢測工序確認(rèn)了上述磁盤表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，進(jìn)行上述磁復(fù)制工序。

4.一種磁復(fù)制裝置，其特征在于：

備有使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在磁盤上的緊密接觸裝置；

通過對互相緊密接觸的上述磁復(fù)制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上的復(fù)制裝置；以及

用光學(xué)方法檢測上述磁盤表面上的缺陷的缺陷檢測裝置，

在由上述缺陷檢測裝置檢測出上述磁盤表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，由上述緊密接觸裝置及上述復(fù)制裝置進(jìn)行磁復(fù)制。

5.一種磁復(fù)制方法，其特征在于：

包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在上述磁盤表面上的工序；

通過對互相緊密接觸的上述磁復(fù)制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上的工序；以及

通過用檢測用磁頭從上述磁盤表面上浮規(guī)定的距離在上述磁盤上進(jìn)行掃描，檢測上述磁盤上的缺陷的檢測工序，

在上述磁復(fù)制工序后進(jìn)行上述檢測工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)制方法，其特征在于：

還包括從上述磁盤表面上浮規(guī)定的距離后，用檢查用磁頭在上述磁盤上進(jìn)行掃描，檢測上述磁盤上的缺陷的工序5，

在上述工序3之后執(zhí)行上述工序5。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁復(fù)制方法，其特征在于：上述工序1之后實(shí)施拋光處理的工序4中的研磨構(gòu)件對上述磁盤的按壓力比上述工序2之后實(shí)施上述拋光處理中的按壓力大。

8.一種磁復(fù)制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上，該磁復(fù)制方法的特征在于：

包括檢測盤缺陷的檢查工序，

在上述檢查工序中檢查清除用盤表面，在確認(rèn)了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，

對上述清除用盤反復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的使上述磁復(fù)制用主盤緊密接觸/離開的操作，

此后，使上述磁盤和上述磁復(fù)制用主盤緊密接觸，進(jìn)行磁復(fù)制。

9.一種磁復(fù)制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復(fù)制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復(fù)制用主盤上形成的磁性膜的圖形復(fù)制在上述磁盤上，該磁復(fù)制方法的特征在于：

包括檢測盤缺陷的檢查工序，

在反復(fù)進(jìn)行了規(guī)定次數(shù)的使上述磁復(fù)制用主盤對清除用盤緊密接觸/離開的操作后，

使上述磁復(fù)制用主盤對通過上述檢查工序確認(rèn)了應(yīng)與上述磁復(fù)制用主盤緊密接觸的面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的檢查用盤緊密接觸，

其次，通過上述檢查工序?qū)ι鲜鰴z查用盤進(jìn)行缺陷檢查，在確認(rèn)了表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，使上述磁盤和上述磁復(fù)制用主盤緊密接觸，進(jìn)行磁復(fù)制。