[發明專利]制備聚合物的方法、制備化合物的方法,化合物、聚合物,以及制造電子器件的方法無效
| 申請號： | 01802229.4 | 申請日： | 2001-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN1386124A | 公開（公告）日： | 2002-12-18 |
| 發明（設計）人： | W·滕赫維;M·M·德科克;B·－H·惠斯曼;P·T·赫爾維格;A·J·J·M·范布雷門 | 申請（專利權）人： | 皇家菲利浦電子有限公司 |
| 主分類號： | C08G61/02 | 分類號： | C08G61/02;C08G61/12;C07D333/46 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝,楊九昌 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 聚合物 方法 化合物 以及 制造 電子器件 | ||
本發明涉及制備一種包含式I結構單元的聚合物的方法，式中：
Ar是具有4至20個碳原子的芳族環狀體系，其可以被選自以下的取代基取代：非支化的C1-C20烷基，C3-C20烷氧基，C1-C20烷基硫酸鹽，支化的C3-C20烷基，苯基或芐基基團，并且其可以在芳族環狀體系中包含最多4個選自氧、硫和氮的雜原子，
t等于0、1或2，
R1選自非支化的C1-C20烷基，支化的C3-C20烷基，環狀C4-C20烷基，C1-C4烷基取代的環狀C4-C20烷基，苯基和芐基基團，該基團可以包含雜原子，
R2和R”2選自氫原子和C1-C20烷基和C4-C20芳基基團，該基團可以包含取代基。
本發明還涉及制備式II的化合物的方法，式中：
Ar是具有4至20個碳原子的芳族環狀體系，其可以被選自以下的取代基取代：非支化的C1-C20烷基，C3-C20烷氧基，C1-C20烷基硫酸鹽，支化的C3-C20烷基，苯基或芐基基團，并且其在芳族環狀體系中可以包含最多4個選自氧、硫和氮的雜原子，
R1和R1’選自非支化的C1-C20烷基，支化的C3-C20烷基，環狀烷基，C1-C4烷基取代的環狀烷基，C4-C14芳基基團，和芐基基團，該基團可以包含雜原子，
R2和R2’選自氫原子和C1-C20烷基和C4-C20芳基基團，該基團可以包含取代基。
本發明還涉及化合物和聚合物。
本發明進一步涉及聚合物的組合物。
本發明進一步涉及制備具有式VI結構單元的聚合物的方法，式中：
Ar是具有4至20個碳原子的芳族環狀體系，其可以被選自以下的取代基取代：非支化的C1-C20烷基，C3-C20烷氧基，C1-C20烷基硫酸鹽，支化的C3-C20烷基，苯基或芐基基團，并且其在所述芳族環狀體系中可以包含最多4個選自氧，硫和氮的雜原子，和
R2和R”2選自氫原子和C1-C20烷基和C4-C20芳基基團，該基團可以包含取代基。
本發明進一步涉及制備具有式VI結構單元的聚合物的層的方法，式中：
Ar是具有4至20個碳原子的芳族環狀體系，其可以被選自以下的取代基取代：非支化的C1-C20烷基，C3-C20烷氧基，C1-C20烷基硫酸鹽，支化的C3-C20烷基，苯基或芐基基團，并且其在所述芳族環狀體系中可以包含最多4個選自氧，硫和氮的雜原子，和
R2和R”2選自氫原子和C1-C20烷基和C4-C20芳基基團，該基團可以包含取代基，
該方法包括：
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