[發明專利]被覆的R－T－B系磁鐵及其制造方法

無效

• 申請號: 01802052.6
• 申請日: 2001-07-17
• 公開（公告）號: CN1386145A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 星裕之;安藤節夫
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: C23C22/42
• 分類號: C23C22/42;H01F1/04;H01F41/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 范明娥,張平元

1.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在以R₂T₁₄B金屬間化合物(R為包括Y的稀元素中的至少1種，T是Fe或Fe和Co)為主相的R-T-B系磁鐵上，具有一種含Mo的氧化物及R的氫氧化物的化學涂層保護膜。

2.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在權利要求1所述的被覆的R-T-B系磁鐵中，上述Mo的氧化物實質上是由非晶質的MoO₂構成的。

3.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在權利要求1或2所述的覆蓋的R-T-B系磁鐵中，在所述的化學涂層保護膜上有樹脂保護膜。

4.一種覆蓋的R-T-B系磁鐵，其特征是，在權利要求3所述的被覆的R-T-B系磁鐵中，在所述化學涂層保護膜上，通過偶合劑的保護膜有樹脂保護膜。

5.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在以R₂T₁₄B金屬間化合物(R為包括Y的稀有元素中的至少1種，T是Fe或Fe和Co)為主相的R-T-B系磁鐵上，形成一種含有焦磷酸、R的氫氧化物及Mo的氧化物的化學涂層保護膜。

6.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在權利要求5所述的被覆的R-T-B系磁鐵中，所述Mo的氧化物實質上是由非晶質的MoO₂構成的。

7.一種被覆的R-T-B系磁鐵，其特征是，在權利要求5或6所述的被覆的R-T-B系磁鐵中，在所述化學涂層保護膜上，通過偶合劑保護膜形成樹脂膜。

8.一種方法，其特征是，把以R₂T₁₄B金屬間化合物(R為包括Y的稀有元素中的至少1種，T是Fe或Fe和Co)作為主相的R-T-B系磁鐵，通過化學涂層處理，制造被覆的R-T-B系磁鐵的方法中，把所述R-T-B系磁鐵，用Mo和P的摩爾比Mo/P為12～60，以磷鉬酸離子作為主成分，pH調至4.2～6的化學涂層處理液進行化學涂層處理。

9.一種方法，其特征是，在權利要求8所述的被覆的R-T-B系磁鐵的制造方法中，在化學涂層保護膜上形成樹脂保護膜。

10.一種方法，其特征是，在權利要求8所述的被覆的R-T-B系磁鐵制造方法中，把化學涂層保護膜用偶合劑進行表面處理后，形成樹脂保護膜。

11.一種方法，其特征是，把以R₂T₁₄B金屬間化合物(R為包括Y的稀土元素中的至少1種，T是Fe或Fe和Co)為主相的R-T-B系磁鐵，通過化學涂層處理的被覆的R-T-B系磁鐵的方法中，把所述R-T-B系磁鐵，用Mo和P的摩爾比Mo/P為0.3～0.9，以磷酸離子作為主成分，pH調至2～5.8的化學涂層處理液進行化學涂層處理。

12.一種方法，其特征是，在權利要求11所述的被覆的R-T-B系磁鐵的制造方法中，化學涂層保護膜用偶合劑進行表面處理后形成樹脂保護膜。