[發(fā)明專利]光記錄媒體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01801244.2
• 申請日: 2001-05-11
• 公開（公告）號: CN1380855A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 新開浩;井上弘康;加藤達(dá)也;宇都宮肇;田中美知
• 申請（專利權(quán)）人: TDK株式會社
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26;G11B7/24
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王以平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及相變型光記錄媒體。

背景技術(shù)

近年來，可高密度記錄且可擦除記錄信息進(jìn)行改寫的光記錄媒體引人注目。可改寫型的光記錄媒體中有相變型光記錄媒體，其中通過照射激光改變記錄層的晶體狀態(tài)而進(jìn)行記錄，并通過檢測伴隨這種狀態(tài)變化而產(chǎn)生的記錄層的反射率變化進(jìn)行重放。由于相變型光記錄媒體的驅(qū)動裝置的光學(xué)系統(tǒng)比磁光記錄媒體的簡單，所以相變型光記錄媒體引人注目。

由于其晶體狀態(tài)和非晶體狀態(tài)的反射率的差大且非晶體狀態(tài)的穩(wěn)定性比較高。相變型的記錄層，多采用Ge-Sb-Te系等的硫族材料。

在相變型光記錄媒體中記錄信息時，照射使記錄層升溫到熔點以上的高功率(記錄功率)的激光。在施加記錄功率的部分，記錄層熔化后急冷，形成非晶態(tài)的記錄標(biāo)記。而在擦除記錄標(biāo)記時，對記錄層照射較低功率(擦除功率)的激光，使記錄層升溫到結(jié)晶溫度以上但低于熔點的溫度。被施加擦除功率的記錄標(biāo)記，被加熱到結(jié)晶溫度以上，然后緩冷，又成為晶態(tài)。因此，通過只改變激光的強度，相變型光記錄媒體就可以進(jìn)行重寫。

為了實現(xiàn)記錄的高密度化和高傳輸速度化，需要進(jìn)一步使記錄重放波長縮短，提高記錄重放光學(xué)系統(tǒng)的物鏡數(shù)值孔徑，并提高媒體的線速度。記錄用激光束的記錄層表面上的光斑直徑在激光波長為λ，數(shù)值孔徑為NA時可表示為λ/NA，其除以媒體線速度V得到的值(λ/NA)/V就是激光束對記錄層的照射時間(光斑通過需要的時間)。伴隨著高密度化和高傳輸速度化，對記錄層的照射時間愈發(fā)地變短了。因此，更難以使重寫條件最優(yōu)化。

現(xiàn)在，說明提高線速度進(jìn)行重寫時的問題。

線速度增加時，記錄用激光束(下稱記錄光束)的照射時間變短。因此一般地，通過隨著線速度增加提高記錄功率，就可以防止記錄層到達(dá)的溫度降低。

另外，為了擦除非晶態(tài)記錄標(biāo)記(再結(jié)晶化)，必須以使記錄層在高于結(jié)晶化溫度且低于熔點的溫度下保持長于一定時間的方式，照射擦除光。即使相應(yīng)于高線速化而提高擦除功率以防止記錄層到達(dá)的溫度降低，由于伴隨著高線速化照射時間變短，使擦除記錄標(biāo)記變得困難。

因此，為了提高線速度并提高傳輸速度，記錄層必須是可以較短的時間再結(jié)晶化、例如日本專利特開平1-78444號公報、和平10-326436號公報所示的使結(jié)晶化速度比較快的成分。

發(fā)明概述

但是，結(jié)晶轉(zhuǎn)移速度快即結(jié)晶化所需時間短的記錄層的熱穩(wěn)定性低。即，由于在溫度比較高的環(huán)境下容易結(jié)晶化，存在保存可靠性低的問題。

另外，作為實現(xiàn)高傳輸速度的方法，提高媒體的線速度的方法雖然提高了媒體的線記錄密度，但本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)如果為了提高線記錄密度而減小記錄標(biāo)記長度，就會降低記錄標(biāo)記的熱穩(wěn)定性。

本發(fā)明的目的在于提供可以提高傳輸速度，而且記錄層的熱穩(wěn)定性良好的相變型光記錄媒體。

通過下面的(1)-(3)的發(fā)明可以實現(xiàn)這些目的。

(1).一種光記錄媒體，其中：具有以Sb作為主成分的相變型記錄層，該記錄層結(jié)晶化時，結(jié)晶化區(qū)域含有基本上由Sb構(gòu)成的菱形晶體，且基本上不包含除基本上由Sb構(gòu)的菱形晶體以外的結(jié)晶相。

(2).如上述(1)所述的光記錄媒體，其中：上述記錄層中作為主成分還含有Te和/或In。

(3).如上述(1)或(2)所述的光記錄媒體，其中：

上述記錄層含有作為副成分的選自稀土類元素、Zr、Hf、Ti和Sn的至少一種元素；

在從記錄/重放光束入射側(cè)看的記錄層的前側(cè)具有與記錄層相接的介電層，該介電層含有硫化鋅與氧化硅的混合物、氧化硅、氮化硅或氧化鋁，上述混合物中的氧化硅含量為30mol％以上。

以Sb為主要構(gòu)成成分的相變型記錄層，Sb含量越多，結(jié)晶轉(zhuǎn)變速度越快。另外，Sb含量越多，記錄層的熱穩(wěn)定性越差。為了提高熱穩(wěn)定性，只能抑制Sb含量，最好是替換成提高熱穩(wěn)定性的元素，但是此時難以提高記錄層的結(jié)晶轉(zhuǎn)變速度。

本發(fā)明的媒體中的相變型記錄層，結(jié)晶區(qū)含有基本上由Sb構(gòu)成的菱形晶體，且基本上不包含除該菱形晶體之外的結(jié)晶相。在以Sb為主要構(gòu)成成分的相變型記錄層中，如果存在的結(jié)晶相基本上都是Sb構(gòu)成的菱形晶體，與Sb含量相同的由面心立方晶體(fcc)構(gòu)成的記錄層相比，結(jié)晶轉(zhuǎn)變速度更快，另外，與Sb含量相同的由Sb相和Sb₂Te₃相構(gòu)成的記錄層相比，結(jié)晶轉(zhuǎn)變速度也更快。因此，本發(fā)明可以實現(xiàn)可以高線速度重寫，且熱穩(wěn)定性良好的相變型光記錄媒體。