[發明專利]磁元件

無效

• 申請號: 01800966.2
• 申請日: 2001-02-09
• 公開（公告）號: CN1366683A
• 公開（公告）日: 2002-08-28
• 發明（設計）人: R·M·沃爾夫;P·J·范德扎爾格
• 申請（專利權）人: 皇家菲利浦電子有限公司
• 主分類號: H01F27/34
• 分類號: H01F27/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 羅朋,梁永

1.磁元件(22，32)，設有磁芯(100)和繞組構件(21)，磁芯(100)有第1側面(101)和與它相對的第2側面(102)，并設有第1空腔(105)，空腔(105)從磁芯(100)的第1側面(101)延伸到第2側面(102)，空腔(105)中裝入至少部分繞組構件(21)，基本上垂直于空腔(105)的磁芯(100)的繞組窗(130)指定的橫截面有第1對側面(131，132)和第2對側面(133，134)，第1對側面中的側面131和132按高度方向隔開一個高度(27)，第2對側面中的側面133和134按寬度方向隔開一個寬度，繞組構件(21)包括有箔繞制成的相互絕緣的多個線圈匝(121)的初級繞組(78)，繞組構件(21)還有大致平行的底面(126)和頂面(125)，所述底面(126)和頂面(125)按高度方向隔開，繞組構件(21)的線圈匝(121)基本上從底面(126)延伸到頂面(125)并繞在中心部分(140)周圍，其特征是，中心部分(140)包括磁隙區域(24)，它按高度方向延伸，延伸度至少是高度(27)的50％。

2.按權利要求1的磁元件(22)，其特征是，磁隙區域(24)的延伸程度(23)是高度(27)的80-100％。

3.按權利要求2的磁元件(22、32)，其特征是，磁隙區域(24)的延伸程度(23)大致是高度(27)的100％，這種磁元件(22、32)無磁芯段。

4.按權利要求1、2或3的磁元件，其特征是磁隙區域(24)中無磁性材料。

5.按權利要求1、2或3的磁元件，其特征是，磁隙區域(24)包括多層構件(60)，它包括交替設置的磁性材料第1層(61)和非磁性材料第2層(62)，第1層(61)和第2層(62)大致平行于繞組構件(21)的底面(126)。

6.按權利要求1至5中任一項的磁元件(32)，其特征是，繞組構件(21)包括有箔繞制成的相互絕緣的多個線圈匝(121)的次級繞組(80)，次級繞組(80)與初級繞組(78)相互絕緣，初級和次級繞組(78，80)設有多個引出頭。

7.按權利要求6的磁元件(32)，其特征是，初級繞組(78)和次級繞組(80)經有第1漏電距離的第1隔離層相互絕緣。

8.按權利要求6或7的磁元件(32)，其特征是，初級繞組(78)與磁芯(100)之間設有第2隔離層。

9.包括上述任一權利要求所述磁元件(22，32)的消費用電子裝置。