[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶體的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01800613.2
• 申請日: 2001-03-23
• 公開（公告）號: CN1365515A
• 公開（公告）日: 2002-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 神澤好彥;能澤克彌;齋藤徹;久保實
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/42;//C30B29/36
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體晶體的制造方法，其特征在于：

它是一種將含有硅(Si)的原料氣體、含有鍺(Ge)的原料氣體以及含有碳(C)的原料氣體導(dǎo)入到固定有襯底的容器中，由所述原料氣體的熱分解，在所述襯底上制造含有Si原子、Ge原子和C原子的半導(dǎo)體晶體的制造方法；在該半導(dǎo)體晶體制造方法中、所述熱分解是在低于490℃的溫度下進行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體的制造方法、其特征在于：

用熱CVD法形成所述半導(dǎo)體晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶體的制造方法、其特征在于：

包含在所述半導(dǎo)體晶體內(nèi)的Si的原料氣體使用的是Si₂H₆或Si₃H₈。