[實用新型]用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置

無效

• 申請號: 01222344.1
• 申請日: 2001-05-14
• 公開（公告）號: CN2482219Y
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發明（設計）人: 宋美慧;戴仕冠
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/302
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 任永武

1.一種用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，它包括：

一晶片組；

一保護片，它置于該晶片組上，以在進行該蝕刻工藝過程中保護該晶片組內的芯片。

2.如權利要求1所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述晶片組含有二十五個可供置放晶片的槽。

3.如權利要求2所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述第一槽至第二十四槽置放二十四片晶片。

4.如權利要求2所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述晶片組的第二十五槽置放所述保護片。

5.如權利要求4所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述保護片為一無用的晶片。

6.如權利要求2所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述蝕刻工藝過程為氟化氫蝕刻，用以移除一聚合物薄膜。

7.如權利要求6所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述氟化氫蝕刻的工藝過程是由一氟化氫蝕刻機臺進行。

8.如權利要求7所述的用于蝕刻工藝過程的晶片保護裝置，其特征在于，所述氟化氫蝕刻機臺自所述晶片組的第一槽至第二十四槽取晶片以進行所述氟化氫蝕刻。

9.一種晶片制作的保護裝置，其特征在于，包括設置在蝕刻機臺上的一保護罩，以蓋于一晶片組上，用以防止污染物的侵入至所述晶片組上。

10.如權利要求9所述的晶片制作的保護裝置，其特征在于，所述污染物為水氣。

11.如權利要求9所述的晶片制作的保護裝置，其特征在于，所述蝕刻機臺是單晶片式，一次自所述晶片組取一片晶片進行所述氟化氫蝕刻工藝過程。

12.如權利要求9所述的晶片制作的保護裝置，其特征在于，所述蝕刻機臺為氟化氫蝕刻機臺。