[實用新型]內存配置無效
| 申請號: | 01221327.6 | 申請日: | 2001-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN2482190Y | 公開(公告)日: | 2002-03-13 |
| 發明(設計)人: | 林玉漳;張全仁 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C8/00 | 分類號: | G11C8/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 臺灣省新竹市新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內存 配置 | ||
本實用新型涉及一種內存配置,尤其涉及一種其傳輸線利用內存區傳輸數據的內存配置。
內存設計中,第二級放大器(DQ?BUFFER)的輸出至輸出放大器(OUTPUT?BUFFER)的距離影響讀取數據的速度。因此一般設計中均將第二級放大器放置于靠近輸入/輸出(I/O)的引腳(PIN)端。此種設計方式的缺點在于控制信號及行(COLUMN)地址信號線須由控制引腳端(CONTROL?PIN)聯接至輸入/輸出(I/0)的引腳(PIN)端,造成芯片面積的增加以及線路布局上的復雜度。
圖1為內存讀取的配置圖。利用字線(WORD?LINE)19選取欲使用的內存單元11,將由位線(BIT?LINE)16以及反位線(INVERSE?BIT?LINE)17所傳送的數據儲存至內存單元11。當行選擇信號(COLUMN?SELECT?SIGNAL,CSL)15致能時,將使二晶體管18導通,則內存單元11內的數據將會通過第一感應放大器(FIRST?SENSEAMP)12以及第二級放大器13而到達讀取引腳(RD?PIN)14。
圖2為數據輸出的配置圖,當數據由讀取引腳14傳來時,數據會先通過輸出控制電路21,再經過二晶體管23,而由輸入輸出引腳22輸出。
圖3為數據寫入的配置圖。數據由輸入輸出引腳22輸入,先經過輸入控制電路31而到達寫入引腳32。寫入引腳再將數據通過第二級放大器13,二晶體管18以及位線16以及反位線17儲存至字線19所選擇的內存單元11。
圖4為現有的內存配置。一個內存配置包括內存單元區41,行譯碼器42,列譯碼器43,以及第二級放大器13。控制信號及地址信號線44一端電連接至行譯碼器42以及第二級放大器13,另一端則電連接至一芯片的其它部分,控制信號及地址信號線44位于控制引腳端45。而第二級放大器13位于輸入輸出引腳端46,所述第二級放大器13可將數據經由輸出放大器(output?buffer)再傳至輸入輸出引腳端46。
現有的內存配置有下列缺點:
(1)面積增加,控制信號以及行地址信號線44為避免與內存區41交錯,所以須空出一空白區域給控制信號以及行地址信號線44通過。
(2)控制信號以及行地址信號線44須由控制引腳端(CONTROL?PIN)45連接至輸入/輸出引腳端(I/O?PIN)46,因此增加了線路布局上的復雜度。
針對上述現有的缺失,本實用新型的目的是提出一改善的內存配置,以減少芯片面積并可簡化線路布局的復雜度。
為實現上述目的,根據本實用新型一方面的內存配置包括:包括:一內存區,為儲存數據的主要區域;一行譯碼器,電連接至所述內存區,用以控制內存的存取;一第二級放大器,電連接至所述行譯碼器;以及數條控制線,經過所述內存區而電連接至所述第二級放大器。
所述內存區是由數個內存單元所組成;而所述行譯碼器是位在控制引腳側,且所述第二級放大器是位在控制引腳側,因而所述行譯碼器與所述第二級放大器是位于同側;所述等控制線是利用所述內存區電連接至所述第二放大器,而所述等控制線是為一金屬線,其中所述金屬線是一位于最上層的金屬線。
為實現上述目的,根據本實用新型另一方面的內存配置包括:一內存區,為儲存數據的主要區域;一行譯碼器,用以控制內存的存取;一第二級放大器;以及數條地址線,經過所述內存區而電連接至所述行譯碼器。
所述內存區是由數個內存單元所組成;而所述行譯碼器是位在控制引腳側,且所述第二級放大器是位在控制引腳側,因而所述行譯碼器與所述第二級放大器是位于同側;所述地址線是利用所述內存區電連接至行譯碼器,而所述地址線是為一金屬線,其中所述金屬線是一位于最上層的金屬線。
根據本實用新型又一方面的內存配置包括:一內存區,為儲存數據的主要區域;一行譯碼器,用以控制內存的存取;一第二級放大器;以及數條數據線,經過所述內存區而電連接至數個輸入輸出引腳。
所述內存區是由數個內存單元所組成;而所述行譯碼器是位在控制引腳側,所述第二級放大器是位在控制引腳側,因而所述行譯碼器與所述第二級放大器是位于同側;所述數據線是利用所述內存區電連接至所述輸入輸出引腳,而所述數據線是為一金屬線,其中所述金屬線是一位于最上層的金屬線。
借助所述內存結構的安排及地址線、數據線或控制線直接由內存區上方的上層金屬層的拉線,即可達到本實用新型節省內存芯片面積的目的。
為更清楚理解本實用新型的目的、特點和優點,下面將結合附圖對本實用新型進行詳細說明。
圖1是內存讀取的配置圖;
圖2是數據輸出的配置圖;
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