[實用新型]納米硅微波開關二極管

無效

• 申請號: 01219780.7
• 申請日: 2001-04-23
• 公開（公告）號: CN2503609Y
• 公開（公告）日: 2002-07-31
• 發明（設計）人: 何宇亮;王因生
• 申請（專利權）人: 何宇亮;李愛剛
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所
• 代理人: 張德勝

1、一種納米硅微波開關二極管，其特征在于以低電阻率單晶硅為基片，在其上方沉積一層摻雜納米硅薄膜，構成納米硅/單晶硅異質結構。

2、根據權利要求1所述的納米硅微波開關二極管，其特征在于以P型低電阻率單晶硅為基片，在其上方沉積一層摻磷的納米硅薄膜，構成了N⁺/P型的納米硅/單晶硅異質結構。

3、根據權利要求1所述的納米硅微波開關二極管，其特征在于以N型低電阻率單晶硅為基片，在其上方沉積一層摻硼的納米硅薄膜，構成了P⁺/N型的納米硅/單晶硅異質結構。

4、根據權利要求1所述的納米硅微波開關二極管，其特征在于所述的納米硅薄膜具有細微晶粒，粒徑為2～6納米，晶粒所占體積比(53±5)％，薄膜室溫電阻率200～500Ω/。

5、根據權利要求1～4所述的納米硅微波開關二極管，其特征在于這種異質結二極管具有如下性能：

a、可在250℃以下溫度范圍正常使用；

b、反向開關時間t_r不大于1.5納秒(ns)；

c、反向漏電流I_r為納安(nA)量級，具有低的噪音系數；

d、反向擊穿電壓V_b≥60伏，為硬擊穿；

e、在V≤±4伏范圍內，整流比r＝10⁴～10⁶。