[發(fā)明專利]光纖

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01145666.3
• 申請日: 2001-10-03
• 公開（公告）號: CN1359014A
• 公開（公告）日: 2002-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松尾昌一郎;畔蒜富夫;原田光一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: G02B6/16
• 分類號: G02B6/16
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳,張志醒

1.一種光纖，包括高濃度鍺層和低濃度鍺層，

其中，高濃度鍺層位于光纖的中心位置，并含有氧化鍺，氧化鍺的濃度為相對于高濃度鍺層總重量為0.1％(重量)或更多。

低濃度鍺層位于在高濃度鍺層周圍，并含有氧化鍺，氧化鍺的濃度為相對于低濃度鍺層總重量小于0.1％(重量)。

在所用波長段從高濃度鍺層漏進(jìn)低濃度鍺層的光功率與經(jīng)光纖傳播的總光功率的比率是0.4％或以下。

2.一種光纖，包括高濃度鍺層和低濃度鍺層，

其中，高濃度鍺層位于光纖的中心位置，并含有氧化鍺，氧化鍺的濃度為相對于高濃度鍺層總重量為0.1％(重量)或更多。

低濃度鍺層位于在高濃度鍺層周圍，并含有氧化鍺，氧化鍺的濃度為相對于低濃度鍺層總重量為小于0.1％(重量)。

在所用波長帶中高濃度鍺層的外徑至少是模場直徑的外徑的2.6倍。

3.按權(quán)利要求1的光纖，其中，低濃度鍺層包括包覆層，高濃度鍺層包括芯和位于芯與包覆層之間的中間層，芯的最大折射率至少高于中間層的最大折射率的0.25％。

4.按權(quán)利要求1的光纖，其中，除氧化鍺之外的雜質(zhì)和氧化鍺一起加入到高濃度鍺層中。

5.按權(quán)利要求2的光纖，其中，低濃度鍺層包括包覆層，高濃度鍺層包括芯和位于芯與包覆層之間的中間層，芯的最大折射率比中間層的最大折射率至少高0.25％。

6.按權(quán)利要求2的光纖，其中，除氧化鍺之外的雜質(zhì)和氧化鍺一起加入高濃度鍺層。