[發(fā)明專利]表面聲波器件及其所用的壓電基體無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01145485.7 | 申請日： | 2001-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN1359194A | 公開（公告）日： | 2002-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 井上憲司;佐藤勝男;守越広樹;川嵜克己;佐藤淳 | 申請（專利權(quán)）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H03H9/64 | 分類號： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 馮譜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表面 聲波 器件 及其 所用 壓電 基體 | ||
1.一種表面聲波器件，包括壓電基體和成型于壓電基體上的交叉指型電極，其中：
壓電基體具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶體結(jié)構(gòu)，可用化學(xué)式Ca3TaGa3Si2O14來表示；和
發(fā)現(xiàn)用歐拉角(Φ，θ，φ)表示的壓電基體從單晶切割出的切割角和壓電基體上表面聲波的傳播方向在表示為-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°的區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1的表面聲波器件，其中θ的范圍為35°-80°和φ的范圍為-55°-55°。
3.如權(quán)利要求2的表面聲波器件，其中θ的范圍為45°-70°和φ的范圍為-15°-15°。
4.如權(quán)利要求2的表面聲波器件，其中θ的范圍為40°-60°和φ的范圍為15°-50°。
5.如權(quán)利要求2的表面聲波器件，其中θ的范圍為40°-60°和φ的范圍為-50°--15°。
6.一種表面聲波器件，包括壓電基體和成型于壓電基體上的交叉指型電極，其中：
壓電基體具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶體結(jié)構(gòu)，可用化學(xué)式Ca3TaGa3Si2O14來表示；和
發(fā)現(xiàn)用歐拉角(Φ，θ，φ)表示的壓電基體從單晶切割出的切割角和壓電基體上表面聲波的傳播方向在表示為-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°的區(qū)內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6的表面聲波器件，其中θ的范圍為125°-145°和φ的范圍為75°-85°。
8.一種表面聲波器件，包括壓電基體和成型于壓電基體上的交叉指型電極，其中：
壓電基體具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶體結(jié)構(gòu)，可用化學(xué)式Ca3TaGa3Si2O14來表示；和
發(fā)現(xiàn)用歐拉角(Φ，θ，φ)表示的壓電基體從單晶切割出的切割角和壓電基體上表面聲波的傳播方向在表示為-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°的區(qū)內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8的表面聲波器件，其中θ的范圍為125°-145°和φ的范圍為-85°--75°。
10.一種表面聲波器件，包括壓電基體和成型于壓電基體上的交叉指型電極，其中：
壓電基體具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶體結(jié)構(gòu)，可用化學(xué)式Ca3TaGa3Si2O14來表示；和
發(fā)現(xiàn)用歐拉角(Φ，θ，φ)表示的壓電基體從單晶切割出的切割角和壓電基體上表面聲波的傳播方向在表示為2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°的區(qū)內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10的表面聲波器件，其中θ的范圍為35°-80°和φ的范圍為-65°-50°。
12.如權(quán)利要求11的表面聲波器件，其中θ的范圍為45°-70°和φ的范圍為-10°-20°。
13.如權(quán)利要求11的表面聲波器件，其中θ的范圍為35°-60°和φ的范圍為-60°--25°。
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