[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01145455.5
• 申請日: 2001-11-28
• 公開（公告）號: CN1366340A
• 公開（公告）日: 2002-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 山崎舜平;小山潤
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L21/00;G02F1/136
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永

1.一種半導體裝置，它包括：

一第一n溝道型TFT，設置在象素中；

一第二n溝道型TFT，設置在驅動電路中；

一第三n溝道型TFT，設置在上述驅動電路中，

其特征在于每個上述第一n溝道型TFT，上述第二n溝道型TFT，和上述第三n溝道型TFT的柵電極具有由一第一導電層和一第二導電層組成的層狀結構，作為下層的第一導電層具有第一寬度，作為上層的第二導電層具有一比第一寬度小的第二寬度。

2.一種半導體裝置，它包括：

一第一n溝道型TFT，設置在象素中；

一第二n溝道型TFT，設置在驅動電路中；

一第三n溝道型TFT，設置在上述驅動電路中，

其特征在于上述第一n溝道型TFT的柵電極具有由一第二導電層和一第一導電層組成的層狀結構，第一導電層和上述第二導電層具有相同的寬度，每個上述第二n溝道型TFT和上述第三n溝道型TFT的柵電極具有由第一導電層和第二導電層組成的層狀結構，作為下層的第一導電層具有第一寬度，作為上層的第二導電層具有一比第一寬度小的第二寬度。

3.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：-EEMOS電路或一EDMOS電路由上述的第二n溝道型TFT和上述的第三n溝道型TFT而形成。

4.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：一EEMOS電路或一EDMOS電路由上述的第二n溝道型TFT和上述的第三n溝道型TFT而形成。

5.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：上述驅動電路的每個上述n溝道型TFT具有一錐形部的柵電極，一與上述柵電極相疊加的溝道形成區(qū)域和一與上述柵電極部分相疊加的雜質區(qū)域。

6.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：上述驅動電路的每個上述n溝道型TFT具有一錐形部的柵電極，一與上述柵電極相疊加的溝道形成區(qū)域和一與上述柵電極部分相疊加的雜質區(qū)域。

7.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：每個上述第一和第二和第三n溝道型TFTs包括一在其中含磷的雜質區(qū)域，上述雜質區(qū)域包括一具有磷的濃度梯度范圍至少從1×10¹⁷至1×10¹⁸/cm³的面積，上述面積中磷的濃度隨著溝道形成區(qū)域的距離的增大而增加。

8.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：每個上述第一和第二和第三n溝道型TFTs包括一在其中含磷的雜質區(qū)域，上述雜質區(qū)域包括一具有磷的濃度梯度范圍至少從1×10¹⁷至1×10¹⁸/cm³的面積，上述面積中磷的濃度隨著溝道形成區(qū)域的距離的增大而增加。

9.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：上述驅動電路的上述n溝道型TFTs的源極電線和上述象素部分的上述n溝道型TETs的源極電線由不同材料組成。

10.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：上述驅動電路的上述n溝道型TFTs的源極電線和上述象素部分的上述n溝道型TFTs的源極電線由不同材料組成。

11.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：與設置在上述象素中的上述第一n溝道型TFT相連接的源極電線至少包括一種從由Al，Cu和Ag構成的組中選擇的材料。

12.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：與設置在上述象素中的上述第一n溝道型TFT相連接的源極電線至少包括一種從由Al，Cu和Ag構成的組中選擇的材料

13.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：與設置在上述象素中的上述第一n溝道型TFT相連接的源極電線使用濺鍍方法，印刷方法，電鍍方法或其任意結合的方法而形成。

14.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：與設置在上述象素中的上述第一n溝道型TFT相連接的源極電線使用濺鍍方法，印刷方法，電鍍方法或其任意結合的方法而形成。

15.如權利要求1所述的一種裝置，其特征在于：上述半導體裝置是一種反射型的液晶顯示設備。

16.如權利要求2所述的一種裝置，其特征在于：上述半導體裝置是一種反射型的液晶顯示設備。