[發明專利]光掩模的制造方法無效
| 申請號: | 01145446.6 | 申請日: | 2001-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN1356592A | 公開(公告)日: | 2002-07-03 |
| 發明(設計)人: | 伊藤正光;野嶋茂樹;三本木省次;池永修 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 制造 方法 | ||
1.一種制造光掩模的方法包括:
在形成光掩模的圖案后,測定形成的圖案的尺寸,求得上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性;
根據上述圖案尺寸的平均值及上述面內均勻性,求出使用上述光掩模時的曝光裕度;和
根據上述曝光裕度是否滿足所期望的曝光裕度這個條件,來判斷上述光掩模是否合格。
2.一種制造相移掩模的方法包括:
在形成半色調相移掩模的圖案后,測定形成的圖案的尺寸,求得上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性;
求出上述半色調相移掩模中含有的半遮光部的透光率平均值及面內均勻性,以及上述半遮光部移相量的平均值及面內均勻性;
根據上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性、上述透光率的平均值及面內均勻性、以及上述移相量的平均值及面內均勻性,求出使用上述半色調相移掩模時的曝光裕度;和
根據上述曝光裕度是否滿足所期望的曝光裕度這個條件,來判斷上述半色調相移掩模是否合格。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于在求出上述透光率的平均值及面內均勻性以及上述移相量的平均值及面內均勻性的步驟中,上述面內均勻性利用對在前制造的掩模所求的值,對后制造的掩模不求該值。
4.一種制造相移掩模的方法包括:
在形成羅賓遜型相移掩模的圖案后,測定形成的圖案的尺寸,求得上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性;
求出上述羅賓遜型相移掩模所包含的透光部的移相量平均值及面內均勻性;
根據上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性以及上述移相量的平均值及面內均勻性,求出使用上述羅賓遜型相移掩模時的曝光裕度;和
根據上述曝光裕度是否滿足所期望的曝光裕度這個條件,來判斷上述羅賓遜型相移掩模是否合格。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于在求出上述移相量的平均值及面內均勻性的步驟中,
上述面內均勻性利用對在前制造的掩模所求的值,對后制造的掩模不求該值。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定義。
7.根據權利要求2所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定義。
8根據權利要求4所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定義。
9.一種制造光掩模的方法包括:
預先求出得到所期望的曝光裕度的光掩模圖案尺寸的平均值及面內均勻性的關系;
形成光掩模圖案后,測定形成的圖案的尺寸,求得上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性;和
將上述預先求得的期望曝光裕度的圖案尺寸的平均值及面內均勻性的關系和通過上述測定而求得的圖案尺寸平均值及面內均勻性進行比較,根據上述光掩模是否滿足上述期望曝光裕度,判斷上述光掩模是否合格。
10.一種制造相移掩模的方法包括:
預先求出得到所期望的曝光裕度的半色調相移掩模圖案尺寸的平均值及面內均勻性、上述半色調相移掩模所包含的半遮光部的透光率平均值和面內均勻性和上述半遮光部移相量平均值及面內均勻性的關系;
形成半色調相移掩模圖案后,測定形成的圖案的尺寸,求得上述圖案尺寸的平均值及面內均勻性;和
求出上述半色調相移掩模所包含的半遮光部的透光率平均值和面內均勻性、和上述半遮光部移相量平均值及面內均勻性;
將上述預先求得的期望曝光裕度的圖案尺寸的平均值及面內均勻性、上述半遮光部的透光率平均值和面內均勻性以及上述半遮光部移相量平均值及面內均勻性的關系和通過上述測定而求得的圖案尺寸平均值及面內均勻性、上述半遮光部的透光率平均值和面內均勻性和上述半遮光部移相量平均值及面內均勻性進行比較,根據上述半色調相移掩模是否滿足上述期望曝光裕度,判斷上述半色調相移掩模是否合格。
11.根據權利要求2所述的方法,其特征在于在上述預先求得所期望曝光裕度的關系的步驟和形成上述半色調相移掩模圖案后求出上述透光率平均值及面內均勻性以及上述移相量平均值及面內均勻性的步驟中,
上述面內均勻性利用對在前制造的掩模所求的值,對后制造的掩模不求該值。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





