[發明專利]氧化鈰溶膠及磨料

無效

• 申請號: 01144012.0
• 申請日: 2001-12-25
• 公開（公告）號: CN1361064A
• 公開（公告）日: 2002-07-31
• 發明（設計）人: 太田勇夫;谷本健二;西村透
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: C01F17/00
• 分類號: C01F17/00;C09K3/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王杰

1.一種溶膠，其是將以鑭原子、釹原子或其組合原子為X，按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例含有鑭化合物、釹化合物或其組合構成的添加成分的立方晶系的結晶性氧化鈰為主成分的粒子分散在介質中形成的。

2.權利要求1記載的溶膠，其中，添加成分是鑭化合物。

3.權利要求1記載的溶膠，其中，添加成分是釹化合物。

4.溶膠的生產方法，所述溶膠是將經由以下第1步驟及第2步驟得到的具有0.005～1μm的粒徑且按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例含有鑭化合物、釹化合物或其組合構成的添加成分的立方晶系的結晶性氧化鈰為主成分的粒子分散在介質中而形成的：

第1步驟：以鑭原子、釹原子或其組合原子為X，按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例，在水性介質中將鈰(III)鹽與鑭(III)鹽、釹(III)鹽或其組合組成的添加成分進行混合，所得水溶液與堿性物質按(OH^-)/(Ce³⁺+X³⁺)的mol比為3～30的比例進行反應，生成氫氧化鈰(III)與添加成分X(III)的氫氧化物均勻混合的懸浮液的步驟，及

第2步驟：在10～95℃的溫度下，向所得懸浮液通入氧或含氧氣體的步驟。

5.權利要求4記載的生產方法，其中，第1步驟是在與大氣連通條件下進行的。

6.權利要求4記載的生產方法，其中，第1步驟是在惰性氣氛下進行。

7.權利要求4記載的生產方法，其中，鈰(III)鹽是硝酸鈰(III)、硝酸鈰(III)銨、硫酸鈰(III)、硫酸鈰(III)銨、氯化鈰(III)、碳酸鈰(III)、醋酸鈰(III)、草酸鈰(III)或它們的混合物。

8.權利要求4記載的生產方法，其中，鑭(III)鹽是硝酸鑭(III)、氯化鑭(III)、醋酸鑭(III)、草酸鑭(III)或它們的混合物。

9.權利要求4記載的生產方法，其中，釹(III)鹽是硝酸釹(III)、氯化釹(III)、醋酸釹(III)、草酸釹(III)或它們的混合物。

10.一種磨料，其含有將具有0.005～1μm的粒徑且以鑭原子、釹原子或其組合原子為X，按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例含有鑭化合物、釹化合物或其組合構成的添加成分的立方晶系的結晶性氧化鈰為主成分的粒子分散在介質中形成的溶膠。

11.一種磨料，其含有溶膠，所述溶膠是經過以下第1步驟及第2步驟得到的具有0.005～1μm的粒徑且按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例含有鑭化合物、釹化合物或其組合組成的添加成分的立方晶系的結晶性氧化鈰為主成分的粒子分散在介質中形成的：

第1步驟：以鑭原子、釹原子或其組合原子為X，按換算成X/(Ce+X)的mol比為0.001～0.5的比例，在水性介質中將鈰(III)鹽與鑭(III)鹽、釹(III)鹽或其組合組成的添加成分進行混合，所得水溶液與堿性物質按(OH^-)/(Ce³⁺+X³⁺)的mol比為3～30的比例進行反應，生成氫氧化鈰(III)與添加成分X(III)的氫氧化物均勻混合的懸浮液的步驟，及

第2步驟：在10～95℃的溫度下，向所得懸浮液通入氧或含氧氣體的步驟。

12.權利要求10或11記載的磨料，其中的添加成分是鑭化合物。

13.權利要求10或11記載的磨料，其中的添加成分是釹化合物。

14.權利要求10～11記載的磨料，其用酸性物質調節至pH?1～6。

15.權利要求10或11記載的磨料，其用堿性物質調節至pH?8～13。

16.權利要求10或11記載的磨料，其用于以二氧化硅為主成分的基板的拋光。

17.權利要求10或11記載的磨料，其用于水晶、光掩模用石英玻璃、半導體裝置或玻璃制硬盤的拋光。

18.權利要求10或11記載的磨料，其是在有機膜拋光的步驟、層間絕緣膜拋光的步驟或溝槽分離的步驟中使用的磨料，用于半導體裝置的拋光。