[發明專利]合成多層陶瓷電子部件及其制造方法

無效

• 申請號: 01143780.4
• 申請日: 2001-12-19
• 公開（公告）號: CN1360320A
• 公開（公告）日: 2002-07-24
• 發明（設計）人: 杉本安隆;近川修;森直哉
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;C04B35/49;H01B3/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 孫敬國

1、一種包括層迭體的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，包括

具有高介電常數材料的高介電常數層，所述高介電常數材料包括(a)xBaO-yTiO₂-zReO_3/2介質，其中x、y和z為％克分子，并滿足條件8≤x≤18，52.5≤y≤65，20≤z≤40，且x+y+z＝100，Re為稀土元素，和(b)第一玻璃成分，其中高介電常數層的相對介電常數εγ等于或大于20，和

至少一個包括低介電常數材料的低介電常數層，所述低介電常數材料包含陶瓷與第二玻璃成分的合成物，其中低介電常數層的相對介電常數εγ小等或等于10。

2、如權利要求1所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

高介電常數中的第一玻璃成分包括

約10～25％重量的SiO₂，

約10～40％重量B₂O₃，

約25～55％重量MgO，

0～20％重量ZnO，

0～15％重量Al₂O₃，

約0.5～10％重量的Li₂O，和

0～10％重量的RO，其中R至少是選自Ba、Sr和Ca的一種。

3、如權利要求1所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

根據高介電常數材料的總重量，作為輔助成分，高介電常數材料還包括小于或等于3％重量的CuO和0.1～10％重量的TiO₂。

4、如權利要求1所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

相對于65～85％重量的xBaO-yTiO₂-zReO_3/2介質，高介電常數材料包括15～35％重量的第一玻璃成分。

5、如權利要求1所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

低介電常數材料中的陶瓷是MgAl₂O₄，

第二玻璃成分包括

約30～50％克分子的二氧化硅SiO₂，

0～20％克分子的硼氧化物B₂O₃，和

約20～55％克分子的氧化鎂MgO。

6、如權利要求5所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

根據玻璃成分的總含量，第二玻璃成分還包括小于或等于30％克分子的至少一種選自CaO、SrO和BaO的氧化物。

7、如權利要求5所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

根據第二玻璃成分的總重量，第二玻璃成分包括小于或等于15％克分子的鋁氧化物Al₂O₃。

8、如權利要求5所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

根據第二玻璃成分的總重量，第二玻璃分成還包括小于或等于10％重量的至少一種選自Li₂O、K₂O和Na₂O的堿金屬氧化物。

9、如權利要求5所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

根據低介電常數材料的總重量，所述低介電常數材料還包括小于或等于3％重量的氧化銅CuO。

10、如權利要求1所述的合成多層陶瓷電子部件，其特征在于，

低介電常數材料中的陶瓷是MgAl₂O₄，

第二玻璃成分是硼硅玻璃，

低介電常數層包括沉淀的晶相，含有MgAl₂O₄晶相、至少Mg₃B₂O₆與Mg₂B₂O₅晶相之一和任選的Mg₂SiO₄晶相。