[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01142960.7
• 申請日: 1995-02-03
• 公開（公告）號: CN1361551A
• 公開（公告）日: 2002-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大谷久;宮永昭治;竹山順一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;G02F1/136
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 郭廣迅

1.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片之上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上形成的第二薄膜晶體管；

包含多個(gè)在所述基片之上形成的第三薄膜晶體管的存儲器，

其中所述第一、第二和第三薄膜晶體管中的每一個(gè)包含溝道，所述溝道含有沿平行于所述基片的方向延伸的結(jié)晶硅。

2.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片之上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上形成的第二薄膜晶體管；

包含多個(gè)在所述基片之上形成的第三薄膜晶體管的校正存儲器，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶體管中的每一個(gè)包含溝道，所述溝道含有沿平行于所述基片的方向延伸的結(jié)晶硅。

3.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上形成的第二薄膜晶體管；

中央處理器，其包含多個(gè)在所述基片之上的第三薄膜晶體管，操作上與所述驅(qū)動電路連接，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶體管中的每一個(gè)包含溝道，所述溝道含有沿平行于所述基片的方向延伸的結(jié)晶硅。

4.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片之上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上形成的第二薄膜晶體管；

輸入端，其包含多個(gè)在所述基片之上的第三薄膜晶體管，操作上與所述驅(qū)動電路連接，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶體管中的每一個(gè)包含溝道，所述溝道含有沿平行于所述基片的方向延伸的結(jié)晶硅。

5.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片之上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上的第二薄膜晶體管；

存儲器，其包含多個(gè)在所述基片之上的第三薄膜晶體管，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶體管中的每一個(gè)包含結(jié)晶硅，所述結(jié)晶硅是通過下列步驟形成的：

在所述基片之上形成非晶硅膜；

通過施加到所述非晶硅的第一能量，形成與所述非晶硅接觸或在所述非晶硅之內(nèi)的晶核；

通過施加到所述基片的第二能量，沿平行于所述基片的方向由所述晶核生長晶體。

6.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基片；

多個(gè)像素，每個(gè)像素包含在所述基片之上以矩陣形式排列的第一薄膜晶體管；

至少一個(gè)用于驅(qū)動所述多個(gè)像素的驅(qū)動電路，其包含多個(gè)在所述基片之上的第二薄膜晶體管；

校正存儲器，其包含多個(gè)在所述基片之上的第三薄膜晶體管，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶體管中的每一個(gè)包含結(jié)晶硅，所述結(jié)晶硅是通過下列步驟形成的：

在所述基片之上形成非晶硅膜；

通過施加到所述非晶硅的第一能量，形成與所述非晶硅接觸或在所述非晶硅之內(nèi)的晶核；

通過施加到所述基片的第二能量，沿平行于所述基片的方向由所述晶核生長晶體。