[發明專利]以介質磷光粉作光變換的發光二極管

無效

• 申請號: 01142441.9
• 申請日: 2001-11-28
• 公開（公告）號: CN1361556A
• 公開（公告）日: 2002-07-31
• 發明（設計）人: 王望南;黃文杰
• 申請（專利權）人: 華上光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;C09K11/77
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 巫肖南,封新琴

1.一種發光二極管，包括：

發光構件以放射光，以及

介質磷光粉，其吸收一部分由上述發光構件所放射的光并放射出波長不同于上述吸收光的光；

其中上述的介質磷光粉是由晶質的磷光顆粒及近似球型的微介質顆粒的混合物所制成。

2.權利要求1的發光二極管，其中所述磷光顆粒的濃度為所述介質磷光粉總體積的2％到25％。

3.權利要求1的發光二極管，其中所述發光構件選自：晶質的半導體晶粒、氮化物半導體晶粒、氮化鎵半導體、晶質氮化銦鎵半導體晶粒以及晶質氮化鋁銦鎵半導體晶粒中的一種。

4.權利要求1的發光二極管，其中通過所述介質磷光粉所放射的光是白光。

5.權利要求1的發光二極管，其中所述介質顆粒的能隙大于3eV。

6.權利要求1的發光二極管，其中所述介質顆粒不會吸收藍光。

7.權利要求1的發光二極管，其中所述介質顆粒選自：微晶質氮化鋁、非晶質氮化硅、非晶質氮化鎵及非晶質二氧化硅。

8.權利要求1的發光二極管，其中所述介質顆粒選自：半徑在50到5000nm之間的非晶質氮化硅、半徑在50到5000nm之間的非晶質二氧化硅及半徑在50到5000nm之間的非晶質氮化鎵。

9.權利要求1的發光二極管，其中所述磷光顆粒是半徑在1000到10000nm之間的石榴石熒光材料的微晶體。

10.權利要求1的發光二極管，其中所述磷光顆粒選自：釓、釔、鈰及釹基磷光質。

11.權利要求1的發光二極管，其中所述磷光顆粒包括含有至少一種選自：釔、镥、鈧、鑭、釓及釤元素與至少另一種選自：鋁、鎵及銦元素的被鈰活化的石榴石熒光材料。

12.權利要求1的發光二極管，其中所述介質磷光粉混合物還包括能隙大于3eV的氣泡。

13.權利要求12的發光二極管，其中所述介質磷光粉混合物還包括不吸收藍光的氣泡。

14.權利要求1的發光二極管，其中所述磷光粉混合物還包括選自：空氣氣泡、氮氣氣泡及惰性氣體氣泡的孔隙。

15.一種發光二極管，包括：

發光構件以放射光，以及

介質磷光粉，其吸收一部分由所述發光構件所放射的光并放射出波長不同于所述吸收光的光；

其中該介質磷光粉是由晶質磷光顆粒及光散射媒介顆粒的混合物所制成，該光散射媒介顆粒的能隙大于3eV。

16.權利要求15的發光二極管，其中所述的媒介顆粒不吸收藍光。

17.權利要求15的發光二極管，其中所述的媒介顆粒是介質顆粒。

18.權利要求15的發光二極管，其中所述磷光顆粒的濃度為所述介質磷光粉總體積的2％到25％。

19.權利要求15的發光二極管，其中所述發光構件選自：晶質的半導體晶粒、氮化物半導體晶粒、氮化鎵半導體、晶質氮化銦鎵半導體晶粒以及晶質氮化鋁銦鎵半導體晶粒中的一種。

20.權利要求15的發光二極管，其中由上述介質磷光粉所放射的光是白光。

21.權利要求15的發光二極管，其中所述光散射媒介顆粒選自：微晶質氮化鋁、非晶質氮化硅、非晶質氮化鎵及非晶質二氧化硅。

22.權利要求15的發光二極管，其中所述光散射媒介顆粒選自：半徑在50到5000nm之間的非晶質氮化硅、半徑在50到5000nm之間的非晶質二氧化硅及半徑在50到5000nm之間的非晶質氮化鎵。

23.權利要求15的發光二極管，其中所述磷光顆粒是半徑在1000到10000nm之間的石榴石熒光材料的微晶體。

24.權利要求15的發光二極管，其中所述磷光顆粒選自：釓、釔、鈰及釹基磷光質。

25.權利要求15的發光二極管，其中所述磷光顆粒包括含有至少一種選自：釔、镥、鈧、鑭、釓及釤元素與至少另一種選自：鋁、鎵及銦元素的被鈰活化的石榴石熒光材料。