[發明專利]III－V氮化物半導體激光器件無效
| 申請號： | 01141826.5 | 申請日： | 2001-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN1347178A | 公開（公告）日： | 2002-05-01 |
| 發明（設計）人： | 園部雅之;木村義則;渡邊溫 | 申請（專利權）人： | 羅姆股份有限公司;先鋒株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/323 | 分類號： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 蹇煒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | iii 氮化物 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種III-V氮化物半導體激光器件，包括：
n側AlGaN包覆層；
n側波導層；
激活層；
p側波導層；和
p側AlGaN包覆層，
其中，p側波導層的折射率比所述n側波導層的折射率更大。
2.根據權利要求1所述的III-V氮化物半導體激光器件，其中，所述的p側波導層由InyGa1-yN(0＜y≤1)形成。
3.根據權利要求2所述的III-V氮化物半導體激光器件，其中，所述的p側波導層的厚度為0.05μm或更大。
4.根據權利要求2所述的III-V氮化物半導體激光器件，其中，所述的p側波導層由InyGa1-yN形成，y是0.005或更大。
5.根據權利要求2所述的III-V氮化物半導體激光器件，其中，所述的n側波導層由GaN形成。
6.根據權利要求5所述的III-V氮化物半導體激光器件，進一步包括：在所述n側波導層和所述激活層之間的InGaN中間層。
7.根據權利要求6所述的III-V氮化物半導體激光器件，其中，所述中間層的厚度為500埃或更小。
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