[發(fā)明專利]磷化鎵發(fā)光組件的制造方法以及制造裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01141187.2
• 申請日: 2001-09-29
• 公開（公告）號: CN1345096A
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樋口晉;鈴木由佳里;川崎真;相原健
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 孫敬國

1.一種磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，系具有一磷化鎵層之液相磊晶生長制程；其特征在于，

前述液相磊晶生長制程，系包含一以氨氣為氮源使用之氮摻雜之磷化鎵層之生長制程，在該氮摻雜之磷化鎵層生長之際，讓前述液相磊晶生長暫時停止，在該狀態(tài)下將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度做階段性或連續(xù)性的增加。

2.如權(quán)利要求1所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，系將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度以階段性或連續(xù)性方式增加到目標(biāo)濃度之后，保持于該目標(biāo)濃度。

3.如權(quán)利要求1所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，在前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度中存在一會于前述氮摻雜之磷化鎵層形成內(nèi)部具有空洞之突起狀缺陷的臨界濃度，而讓前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度，自較該臨界濃度為低之濃度側(cè)往較該臨界濃度為高之濃度側(cè)做階段性或連續(xù)性的增加。

4.如權(quán)利要求2所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，在前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度中存在一會于前述氮摻雜之磷化鎵層形成內(nèi)部具有空洞之突起狀缺陷的臨界濃度，而讓前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度，自較該臨界濃度為低之濃度側(cè)往較該臨界濃度為高之濃度側(cè)做階段性或連續(xù)性的增加。

5.如權(quán)利要求1所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，對前述周圍環(huán)境氣氛供給氨氣之際，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度維持在低于前述臨界濃度的時間系較維持在高于前述臨界濃度的時間為長。

6.如權(quán)利要求2所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，對前述周圍環(huán)境氣氛供給氨氣之際，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度維持在低于前述臨界濃度的時間系較維持在高于前述臨界濃度的時間為長。

7.如權(quán)利要求3所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度保持在第一濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為低)之后，增加至第二濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為高)，而后保持于該第二濃度。

8.如權(quán)利要求4所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度保持在第一濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為低)之后，增加至第二濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為高)，而后保持于該第二濃度。

9.如權(quán)利要求5所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度保持在第一濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為低)之后，增加至第二濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為高)，而后保持于該第二濃度。

10.如權(quán)利要求6所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，將前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度保持在第一濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為低)之后，增加至第二濃度(設(shè)定成較前述臨界濃度為高)，而后保持于該第二濃度。

11.如權(quán)利要求3至10任一項所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，前述臨界濃度系前述突起狀缺陷之形成起點(diǎn)的氮化硅粒子在前述鎵溶液中開始晶析之周圍環(huán)境氣氛中之氨濃度。

12.如權(quán)利要求1所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，前述鎵溶液系保持成與石英治具相接之形態(tài)。

13.如權(quán)利要求12所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，作為前述磷化鎵單結(jié)晶基板系使用n型之物，前述石英治具系作為n型摻雜物之硅的供給源來作用，于前述磷化鎵單結(jié)晶基板之前述第一主表面上依序進(jìn)行來自前述磷化鎵溶液之n型磷化鎵層、n型之低濃度層以及p型磷化鎵層的液相磊晶生長。

14.如權(quán)利要求13所述的磷化鎵發(fā)光組件的制造方法，其特征在于，前述磷化鎵單結(jié)晶基板之前述第一主表面?zhèn)扰c對向之石英治具之間系夾著鎵溶液層而保持著，于受到保持之鎵溶液層的外周面系接觸前述周圍環(huán)境氣氛。

15.一種磷化鎵發(fā)光組件的制造裝置，系于磷化鎵單結(jié)晶基板之第一主表面上形成氮摻雜之磷化鎵層；其特征在于，

具有一生長容器(具備氨氣供給部)，于該生長容器內(nèi)，系讓前述磷化鎵單結(jié)晶基板之前述第一主表面?zhèn)冉佑|于鎵溶液，且對與該鎵溶液相接之周圍環(huán)境氣氛供給來自前述氨氣供給部之氨氣，以進(jìn)行前述氮摻雜之磷化鎵層的液相磊晶生長，同時，設(shè)有一氨氣供給量控制部，其以讓前述周圍環(huán)境氣氛之氨濃度做階段性或連續(xù)性增加的方式來控制來自前述氨氣供給部之氨氣的供給量。