[發明專利]差異磁軛型讀磁頭及其制造方法無效
| 申請號: | 01140997.5 | 申請日: | 2001-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN1347077A | 公開(公告)日: | 2002-05-01 |
| 發明(設計)人: | 哈達亞爾·S·吉爾 | 申請(專利權)人: | 國際商業機器公司 |
| 主分類號: | G11B5/39 | 分類號: | G11B5/39;G11B5/596;G11B5/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 黃小臨,王志森 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 差異 磁軛型讀 磁頭 及其 制造 方法 | ||
1.一種讀磁頭,具有空氣支承面(ABS),包含:
一磁軛,具有第一和第二支臂,它們在磁頭內部與ABS的距離為d1的一個位置相互連接,其中第一和第二支臂分別具有第一和第二端部邊緣,該第一和第二邊緣位于在ABS,彼此隔開距離為d2;
所述第一和第二支臂,分別具有第一和第二分隔部,該第一和第二分隔部位于在ABS和距離d1之間,該第一和第二分隔部消除每個支臂的各支臂部分的磁和電聯系;
第一傳感器,磁和電聯系到跨越所述第一分隔部的第一支臂,以及第二傳感器,磁和電聯系到跨越所述第二分隔部的第二支臂;
第一傳感器具有第一鎖定層結構,第二傳感器具有第二鎖定層結構;以及
第一和第二鎖定層結構分別具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
2.如權利要求所述1的讀磁頭,其特征在于,第一鎖定層結構是反向平行(AP)的鎖定層結構,第二鎖定層結構是單層的鎖定層結構。
3.如權利要求2所述的讀磁頭,其特征在于,距離d2等于沿磁盤中的一磁道的各磁跡之間的距離。
4.如權利要求3所述的讀磁頭,包含:
第一和第二引線,分別用于將第一和第二傳感器連接到一處理電路,使傳感電流傳導通過二傳感器。
5.如權利要求4所述的讀磁頭,其特征在于,每個傳感器是隧道結型傳感器。
6.如權利要求4所述的讀磁頭,其特征在于,每個傳感器是旋轉閥型傳感器。
7.一種讀磁頭,具有空氣支承面(ABS),包含:
第一傳感器,包含:
具有磁矩的鐵磁性鎖定層結構;
一鎖定層,交換耦合到該鎖定層結構,用于鎖定該鎖定層結構的磁矩;
一自由層;以及
一分隔層,位于在自由層和鎖定層結構之間;
第二傳感器,包含:
具有磁矩的鐵磁性鎖定層結構;
一鎖定層,交換耦合到該鎖定層結構,用于鎖定該鎖定層結構的磁矩;
一自由層;以及
一分隔層,位于在自由層和鎖定層結構之間;
一磁軛,具有第一和第二支臂,它們在磁頭內部與ABS的距離為d1的一個位置相互連接,其中第一和第二支臂分別具有第一和第二端部邊緣,該第一和第二邊緣位于在ABS,彼此隔開距離為d2;
第一和第二支臂,分別具有第一和第二分隔部,該第一和第二分隔部位于在ABS和距離d1之間,該第一和第二分隔部消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和電聯系;
第一傳感器,磁和電聯系到跨越所述第一分隔部的第一支臂,以及第二傳感器,磁和電聯系到跨越所述第二分隔部的第二支臂;
第一傳感器具有第一鎖定層結構,第二傳感器具有第二鎖定層結構;以及
第一和第二鎖定層結構分別具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
8.如權利要求7所述的讀磁頭,包含:
非磁性非導電性第一和第二讀出間隙層;
該磁軛和傳感器,位于在第一和第二讀出間隙層之間;
鐵磁性第一和第二屏蔽層;以及
第一和第二讀出間隙層位于在第一和第二讀出屏蔽層之間。
9.如權利要求所述8的讀磁頭,其特征在于,第二傳感器中的第二鎖定層結構是反向平行(AP)鎖定層結構,該結構包含:
鐵磁性第一和第二反向平行(AP)鎖定層,第一AP鎖定層和第二傳感器中的鎖定層對接,第二AP鎖定層和第二傳感器中的分隔層對接;以及
一反向平行(AP)鎖定層,位于在第一和第二AP鎖定層之間并與之對接。
10.如權利要求所述9的讀磁頭,其特征在于,距離d2等于沿磁盤中的一磁道的各磁跡之間的距離。
11.如權利要求所述10的讀磁頭,包含:
第一和第二傳感器中的每一分隔層,為非磁性電絕緣阻擋層。
第一和第二引線,連接到二傳感器,用于將垂直于傳感器中的各層的主薄膜平面的傳感電流傳導通過傳感器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國際商業機器公司,未經國際商業機器公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01140997.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





