[發(fā)明專利]制造用于半導(dǎo)體裝置的圓柱型電容器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01140989.4
• 申請(qǐng)日: 2001-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN1365142A
• 公開（公告）日: 2002-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金弘基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/70
• 分類號(hào): H01L21/70
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 李曉舒,魏曉剛

1.一種制造圓柱型半導(dǎo)體裝置電容器的方法，包括：

在包含導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體基板上順序形成第一絕緣層、第一刻蝕終止層、第二絕緣層、和第二刻蝕終止層；

通過(guò)刻蝕第二刻蝕終止層、第二絕緣層和第一刻蝕終止層的一部分而形成第二刻蝕終止層構(gòu)圖、第二絕緣層構(gòu)圖和第一刻蝕終止層構(gòu)圖，以形成用于顯露第一絕緣層一部分的表面的存儲(chǔ)結(jié)孔；

在存儲(chǔ)結(jié)孔的內(nèi)壁上形成隔離襯；

通過(guò)將第二刻蝕終止層構(gòu)圖和隔離襯用作掩膜來(lái)刻蝕第一絕緣層的暴露部分而形成第一絕緣層構(gòu)圖，以形成用于顯露導(dǎo)電區(qū)的結(jié)接觸孔；

除去第二刻蝕終止層構(gòu)圖和隔離襯；

在存儲(chǔ)結(jié)孔和結(jié)接觸孔的被顯露表面上形成底電極；以及

在底電極上形成介電層和上電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電區(qū)是半導(dǎo)體基板表面上的活化區(qū)，或半導(dǎo)體基板頂部的接觸焊點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括通過(guò)形成在半導(dǎo)體基板上的兩個(gè)相鄰柵電極而形成自對(duì)齊的接觸焊點(diǎn)，且其中，導(dǎo)電區(qū)為接觸焊點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成接觸焊點(diǎn)的步驟包括：

形成填充兩個(gè)柵電極間空間的中間介電層；

通過(guò)構(gòu)圖中間介電層而形成用于顯露兩個(gè)相鄰柵電極間半導(dǎo)體基板的表面的接觸孔；以及

在接觸孔中填充導(dǎo)電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，柵電極由多化合物結(jié)構(gòu)制成，在該多化合物結(jié)構(gòu)中在多晶硅層上形成硅化物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，中間介電層由硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層、紡絲玻璃(SOG)層、非摻雜硅酸鹽玻璃(USG)層、用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)方法形成的氧化硅層、或用等離子體強(qiáng)化-CVD(PE-CVD)方法形成的原硅酸四乙酯(TEOS)層制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層是氧化硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，第一絕緣層通過(guò)HDP-CVD方法形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第二絕緣層是TEOS層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第二絕緣層通過(guò)PE-CVD方法形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一刻蝕終止層和第二刻蝕終止層分別是氮化硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，第一刻蝕終止層和第二刻蝕終止層通過(guò)低壓-CVD(LP-CVD)方法形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層的厚度在8000和12000之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第二絕緣層的厚度在5000和20000之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一刻蝕終止層和第二刻蝕終止層的厚度分別在300和500之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟：

在第二刻蝕終止層上形成氧化硅層；

通過(guò)刻蝕氧化硅層的一部分而形成氧化硅層構(gòu)圖，使得可以形成存儲(chǔ)結(jié)孔；以及

在結(jié)接觸孔的形成過(guò)程中去除氧化硅層構(gòu)圖。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，氧化硅層是通過(guò)使用PE-CVD方法形成的氧化硅層，或高溫氧化物層。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成隔離襯的步驟包括：

以一厚度形成第三絕緣層，以此厚度存儲(chǔ)結(jié)孔被覆蓋但未被完全填充；以及

回刻蝕第三絕緣層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，第三絕緣層是氮化硅層或硅氧氮化物層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，第三絕緣層用PE-CVD方法形成。