[發明專利]液態膜干燥方法及液態膜干燥裝置無效
| 申請號: | 01140672.0 | 申請日: | 2001-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN1347136A | 公開(公告)日: | 2002-05-01 |
| 發明(設計)人: | 江間達彥;伊藤信一;奧村勝彌 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/16 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液態 干燥 方法 裝置 | ||
1、液態膜干燥方法,其特征為,包括以下工序:
使具有一個以上的貫通孔的整流板以不接觸形成于被處理基板上的含有溶質的液態膜的距離靠近該被處理基板上方的工序,
使前述整流板旋轉,使該被處理基板上方與該整流板的下表面之間產生氣流的工序,
使液態膜與前述氣流接觸除去前述液態膜中的溶劑,在前述被處理基板上形成由前述溶質構成的固相膜的工序。
2、如權利要求1所述的液態膜干燥方法,其中,
利用前述整流板旋轉造成的前述被處理基板與前述整流板下表面之間產生的壓力差,向前述被處理基板與前述整流板下表面之間導入氣流。
3、如權利要求1所述的液態膜干燥方法,其特征為,使前述被處理基板上方與前述整流板的下表面之間產生的氣流的方向隨時間變化。
4、如權利要求3所述的液態膜干燥方法,其特征為,
使前述被處理基板與前述整流板下表面之間的壓力和前述整流板上表面處的壓力之差變化,
使前述被處理基板的上方與前述整流板下表面之間產生的氣流方向隨時間發生變化。
5、如權利要求1所述的液態膜干燥方法,其特征為,使前述整流板的中心軸與前述被處理基板的中心偏置。
6、如權利要求5所述的液態膜干燥方法,其特征為,使前述的偏置量隨時間變化。
7、如權利要求5所述的液態膜干燥方法,其特征為,使前述被處理基板向與前述整流板的旋轉方向相反的方向旋轉。
8、液態膜的干燥方法,其特征為包括以下工序:
使整流板以不接觸形成于被處理基板上的含有溶質的液態膜的距離靠近該被處理基板正上方的工序,
將前述整流板與前述被處理基板之間及其周圍保持在減壓狀態的工序,
使前述整流板旋轉,在前述被處理基板上方與該整流板的下表面之間產生氣流的工序,
使前述液態膜與前述氣流接觸除去液態膜中的溶劑,在前述被處理基板上形成由前述溶質構成的固相膜的工序。
9、液態膜干燥裝置,其特征在于具備有以下部件:
與表面上形成含有溶劑的液態膜的被處理基板對向配置的、具有一個以上的貫通孔的整流板,
使該整流板旋轉的旋轉驅動部,
與前述被處理基板的反向側的前述整流板的貫通孔的開口部側對向配置的氣流控制板,
使前述整流板與前述被處理基板的距離以及前述整流板與前述氣流控制板的距離相對變化的上下方向驅動部。
10、液態膜干燥裝置,其特征在于具備以下部件:
與表面上形成含有溶劑的液態膜的被處理基板對向配置的具有一個以上貫通孔的整流板,
使該整流板旋轉的旋轉驅動部,
向前述貫通孔供應氣流的外部氣流發生器。
11、如權利要求9或10所述的液態膜干燥裝置,其特征在于進一步具有:
將前述被處理基板及整流板容納于其內的減壓腔室,
與前述減壓腔室連接、對該腔室內部排氣的真空泵。
12、如權利要求9或10所述的液態膜干燥裝置,其特征為,
在前述整流板上具有多個貫通孔,
各貫通孔以在旋轉時隨著時間以幾乎相同的比例通過被處理基板上的任意部分的方式配置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





