[發明專利]高頻開關電路裝置

無效

• 申請號: 01140087.0
• 申請日: 2001-11-26
• 公開（公告）號: CN1356774A
• 公開（公告）日: 2002-07-03
• 發明（設計）人: 中谷俊文;伊藤順治;今西郁夫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H01P1/15
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種高頻開關電路裝置，其特征在于：

包括：具有P型襯底區域的半導體襯底、

設置在所述P型襯底區域的具有源極、漏極、柵極和N型勢阱的具有高頻開關元件功能的P溝道型FET、

與所述N型勢阱連接的流過供給所述N型勢阱的電壓信號的電壓供給節點，和

設置在所述N型勢阱與電壓供給節點間的用于將在所述N型勢阱與所述電壓供給節點間傳輸的信號的高頻成分分離的高頻信號分離單元。

2.根據權利要求1所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

還具有從側方包圍所述N型勢阱并從所述半導體襯底的表面向下方延伸到比所述N型勢阱深的位置的絕緣分離層。

3.根據權利要求1所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述半導體襯底是在絕緣層上設置所述N型勢阱而成的SOI襯底。

4.根據權利要求3所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述SOI襯底是具有由氧化硅構成的埋入絕緣層的硅襯底。

5.根據權利要求3所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述SOI襯底是在藍寶石襯底上外延成長硅結晶層構成的。

6.根據權利要求1～5中任一權項所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

還具有設置在所述N型勢阱與接地之間的用于將在N型勢阱與接地間通過的信號的高頻成分分離的另一個高頻信號分離單元。

7.根據權利要求1～5中任一權項所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述高頻信號分離單元是電感。

8.根據權利要求7所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述電感是在所述半導體襯底上形成的螺旋狀的導線。

9.根據權利要求1～5中任一權項所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述高頻信號分離單元是電阻。

10.根據權利要求9所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述電阻是在所述半導體襯底上形成的多晶硅膜。

11.根據權利要求1～5中任一權項所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述高頻信號分離單元是具有通過的信號的波長的1/4的奇數倍的線路長度的分布常數線路。

12.根據權利要求11所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述分布常數線路是在所述半導體襯底上形成的配線。

13.一種高頻開關電路裝置，其特征在于：

包括具有P型襯底區域的半導體襯底、

設置在所述P型襯底區域的具有源極、漏極、柵極和P型勢阱的具有高頻開關元件功能的N溝道型FET、

設置在所述P型襯底區域與所述P型勢阱間的成為所述P型襯底區域與所述P型勢阱間的高頻信號的傳輸的障礙的阻擋層，和

設置在所述P型勢阱與接地間的用于將在所述P型勢阱與接地間傳輸的信號的高頻成分分離的高頻信號分離單元。

14.根據權利要求13所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述阻擋層是設置在所述P型襯底區域與所述P型勢阱之間的N型勢阱，

還具有與所述N型勢阱連接的用于向所述N型勢阱供給電壓的電壓供給節點，和

設置在所述N型勢阱與電壓供給節點間的用于將在所述N型勢阱與所述電壓供給節點間傳輸的信號的高頻成分分離的另一個高頻信號分離單元。

15.根據權利要求13所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

還具有從側方包圍所述P型勢阱并從所述半導體襯底的表面向下方延伸到比所述P型勢阱深的位置的絕緣分離層。

16.根據權利要求13所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：

所述半導體襯底是在絕緣層上設置所述P型勢阱而成的SOI襯底。

17.根據權利要求16所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：所述SOI襯底是具有由氧化硅構成的埋入絕緣層的硅襯底。

18.根據權利要求16所述的高頻開關電路裝置，其特征在于：所述SOI襯底是在藍寶石襯底上外延成長硅結晶層構成的。