[發明專利]具有雙閘極絕緣層的MOS元件及其制作方法無效
| 申請號： | 01139634.2 | 申請日： | 2001-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN1421934A | 公開（公告）日： | 2003-06-04 |
| 發明（設計）人： | 顏文彬;陳永修;翁宏鎮 | 申請（專利權）人： | 矽統科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉朝華 |
| 地址： | 臺灣省新*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 雙閘極 絕緣 mos 元件 及其 制作方法 | ||
【說明書】：
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