[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的接觸的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01139609.1
• 申請(qǐng)日: 2001-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN1356719A
• 公開（公告）日: 2002-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭丞弼;池京求;金智秀;秋昌雄;徐相勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/30
• 分類號(hào): H01L21/30;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 謝麗娜,谷惠敏

1.一種半導(dǎo)體器件的接觸的制造方法，包括步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上，在包括硅的下層上形成了中間層；

利用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩膜，在中間層中形成接觸孔，其中在接觸孔的底部露出下層的表面；

將該半導(dǎo)體襯底裝載到具有彼此相連的等離子體預(yù)處理艙和淀積艙的裝置中；

將半導(dǎo)體襯底傳送到等離子體預(yù)處理艙；

在等離子體預(yù)處理艙中灰化光致抗蝕劑圖形以便除去光致抗蝕劑圖形；

接著在等離子體預(yù)處理艙中除去下層表面的損壞層，該下層表面限定了接觸孔的底部；

接著在等離子體預(yù)處理艙中清潔該半導(dǎo)體襯底；

接著在真空中將半導(dǎo)體襯底傳送到淀積艙中；和

在淀積艙中將填充接觸孔的材料淀積到該襯底上。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述灰化、除去損壞層和預(yù)清潔的每個(gè)步驟都包括在預(yù)處理艙的外側(cè)利用微波激勵(lì)氣體以便誘發(fā)等離子態(tài)，并且將該等離子態(tài)氣體導(dǎo)向預(yù)處理艙中的襯底。

3.權(quán)利要求2的方法，其中所述灰化步驟包括：在預(yù)處理艙中加熱襯底。

4.權(quán)利要求3的方法，其中所述加熱的步驟包括：在預(yù)處理艙中產(chǎn)生UV光。

5.權(quán)利要求4的方法，其中所述灰化的步驟包括：在預(yù)處理艙外利用微波激勵(lì)氮?dú)夂脱鯕庖哉T發(fā)等離子態(tài)，給預(yù)處理艙中的襯底供應(yīng)等離子態(tài)的氮?dú)夂脱鯕狻?/p>

6.權(quán)利要求5的方法，其中所述灰化的步驟包括：以10-2,000sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氮?dú)夂鸵?0-2,000sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氧氣，用500-2,000W功率的微波激勵(lì)這些氣體，保持等離子體預(yù)處理艙中的壓力為0.1-10乇，將襯底的溫度調(diào)節(jié)到20-300℃，以及使UV燈工作在300-1,000W的功率，以便提供UV光。

7.權(quán)利要求1的方法，其中所述除去損壞層的步驟包括：在預(yù)處理艙的外側(cè)利用微波激勵(lì)氮?dú)夂脱鯕?，以誘發(fā)等離子態(tài)，將等離子態(tài)的氮?dú)夂脱鯕庖约胺鶜怏w供應(yīng)給預(yù)處理艙中的襯底。

8.權(quán)利要求7的方法，其中氟基氣體為NF₃。

9.權(quán)利要求8的方法，其中所述除去損壞層的步驟包括：以10-2,000sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氮?dú)夂鸵?0-2,000sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氧氣，以及以30-300sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的NF₃氣體，用500-2,000W功率的微波激勵(lì)該氮?dú)夂脱鯕猓３值入x子體預(yù)處理艙中的壓力為0.1-10乇，將半導(dǎo)體襯底的溫度調(diào)節(jié)到5-300℃。

10.權(quán)利要求1的方法，其中所述清潔步驟包括：將等離子態(tài)的氫氣和氟基氣體供應(yīng)到襯底上，以便引起與包括硅的下層上的氧化物層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成反應(yīng)層，給反應(yīng)層退火以便汽化該反應(yīng)層。

11.權(quán)利要求10的方法，其中以氣態(tài)供應(yīng)所述氟基氣體。

12.權(quán)利要求10的方法，其中所述氟基氣體的供應(yīng)包括：利用微波在預(yù)處理艙外激勵(lì)氟基氣體，以便誘發(fā)等離子態(tài)，將等離子態(tài)的氟基氣體引導(dǎo)到襯底上。

13.權(quán)利要求10的方法，其中所述氟基氣體選自由NF₃、SF₃和ClF₆構(gòu)成的組。

14.權(quán)利要求10的方法，其中所述清潔步驟包括：以10-2,000sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氮?dú)夂鸵?-200sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氫氣，以及以10-300sccm的速率供應(yīng)作為反應(yīng)氣體的氟基氣體，用500-2,000W功率的微波激勵(lì)這些氣體，保持等離子體預(yù)處理艙中的壓力為0.1-10乇，將襯底的溫度調(diào)節(jié)到0-50℃。

15.權(quán)利要求10的方法，其中所述清潔步驟包括：當(dāng)供應(yīng)氣體以引起所述的化學(xué)反應(yīng)時(shí)，將半導(dǎo)體襯底定位在預(yù)處理艙的下部，當(dāng)進(jìn)行退火時(shí)，將該襯底定位在預(yù)處理艙的上部。

16.權(quán)利要求10的方法，其中所述退火包括將半導(dǎo)體襯底加熱到100-500℃的范圍內(nèi)。