[發明專利]為快速電可擦除可編程只讀存儲器單元形成相對于有源區自對準的浮動柵多晶硅層的方法

有效

• 申請號: 01137905.7
• 申請日: 2001-09-19
• 公開（公告）號: CN1378263A
• 公開（公告）日: 2002-11-06
• 發明（設計）人: C·H·王
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王勇,梁永

1.一種用于形成半導體器件中隔離區和有源區的自對準方法，該方法包括如下步驟：

在一個半導體襯底上形成第一材料層；

形成多個間隔開的溝槽，它們穿過第一材料層延伸進入襯底中；

沿著溝槽的側壁部分形成第一絕緣材料層；

用絕緣材料填充溝槽；

去除第一材料層來暴露襯底的部分；

在襯底的暴露部分上形成第二絕緣材料層；以及

在第二絕緣材料層上形成導電材料層。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于：溝槽的側壁部分位于襯底內，沿著溝槽的側壁形成第一絕緣材料層。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于：對于每個溝槽，導電材料層有一個邊緣部分，它以一個預定的距離Δ與第一絕緣材料層重疊并在其上延伸。

4.根據權利要求1的方法，其特征在于：對于每個溝槽，導電材料層有一個邊緣部分，它以一個預定的距離Δ與第一絕緣材料層和填充溝槽的絕緣材料的一部分重疊并在其上延伸。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于：對于每個溝槽，預定的距離Δ是如此選擇的：在對襯底和導電層進行后段處理之后，邊緣部分對準溝槽的側壁。

6.根據權利要求1的方法，其特征在于：對于每個溝槽，第一絕緣材料層的形成包括：使側壁部分進一步延伸進入襯底，以增加溝槽下部的寬度。

7.一種用于制造電可編程和可擦除存儲器件的半導體結構，包括：

一個第一導電類型的半導體材料的襯底；

在襯底上形成的第一絕緣材料層；

在第一絕緣材料層上形成的導電材料層；

多個間隔開的溝槽，它們穿過第一絕緣材料層和導電材料層并進入到襯底中；

第二絕緣材料層，它形成在溝槽的側壁部分上；以及

在溝槽中形成的絕緣材料塊，

其中，對于每個溝槽，導電材料層的一個邊緣部分以預定的距離Δ與第一絕緣材料層重疊并在其上延伸。

8.根據權利要求7的半導體結構，其特征在于：對于每個溝槽，導電材料層的邊緣部分進一步在絕緣材料塊的一部分上延伸并與之重疊。

9.根據權利要求7的半導體結構，其特征在于：對于每個溝槽，預定的距離Δ是如此選擇的：在對襯底和導電層進行后段處理后，邊緣部分大致對準溝槽的側壁部分。