[發明專利]包含顯現強磁性隧道效應的存儲元件的磁性存儲裝置

無效

• 申請號: 01137875.1
• 申請日: 2001-11-09
• 公開（公告）號: CN1353422A
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發明（設計）人: 山田光一
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15;G11C7/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 孫敬國

1.一種磁性存儲裝置，其特征在于，

具備：由顯現強磁性隧道效應的第1存儲元件以及第2存儲元件、與所述第1以及第2存儲元件分別連接的第1以及第2晶體管形成的存儲單元；連接在所述第1以及第2晶體管的控制端上的字線；通過所述第1晶體管與所述第1存儲元件連接的位線；通過所述第2晶體管與所述第2存儲元件連接并且與所述位線構成位線對的反相位線；和與所述位線及所述反相位線連接的放大器，

在讀出數據時，向所選擇的所述字線輸入信號，同時通過向所述字線輸入信號而采用所述放大器讀出在所述位線與所述反相位線之間產生的電位差。

2.如權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

所述第1存儲元件與所述第2存儲元件分別包含第1磁性層、和使絕緣隔離層介于所述第1磁性層上并相對配置的比所述第1磁性層更不容反轉的第2磁性層，

還具備連接所述第1存儲元件的第2磁性層與所述第2存儲元件的第2磁性層，并且根據輸入所述字線的信號的上升時刻，使得所述第1存儲元件的第2磁性層與所述第2存儲元件的第2磁性層的電位下降到接地電位用的輔助字線。

3.如權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

輸入所述字線的信號的下降時刻是在所述第1存儲元件的第2磁性層電位與所述第2存儲元件的第2磁性層的電位變為接地電位之前進行。

4.如權利要求1所述的磁性器裝置，其特征在于，

還具備根據輸入所述字線的信號的下降時刻，用于分離所述放大器與所述位線及所述反相位線的文分離用晶體管。

5.如權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

在所述第1存儲元件以及所述第2存儲元件中存儲彼此相反的數據。

6.如權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

還具備：通過所述第1晶體管與所述第1存儲元件連接的空位線；檢測出所述空位線的下降時刻的檢測電路。

7.如權利要求6所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

還具備根據由所述檢測電路檢測的所述空位線的下降時刻用于分離所述放大器與所述位線及所述反相位線的分離用晶體管，

根據由所述檢測電路檢測的所述空位線的下降時刻使得所述放大器活化。

8.如權利要求6所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

所述檢測電路包含在柵極施加輸入電壓的第1晶體管與在柵極施加基準電壓的第2晶體管，

通過使得流過所述第1晶體管的電流大于流過所述第2晶體管的電流，在所述輸入電壓與所述基準電壓相等時輸出L電平(低電平)。

9.如權利要求8所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

所述第1晶體管的選通脈沖寬度比所述第2晶體管的選通脈沖寬度要大。

10.如權利要求8所述的磁性存儲裝置，其特征在于，????

所述第1晶體管的柵長比所述第2晶體管的柵長要小。

11.如權利要求2所述的磁性存儲裝置，其特征在于，

在寫入數據時，在所選擇的所述輔助字線中從上向下流過電流，同時通過在所述位線與所述反相位線中流過互為反向的電流，在所述第1存儲元件所述第1磁性層與所述第2存儲元件的所述第1磁性層寫入彼此相反的數據。

12.一種磁性存儲裝置，其特征在于，

具備：由包含第1磁性層、使第1絕緣隔離層介于所述第1磁性層的表面上并與其一表面上對向配置的第2磁性層、和使第2絕緣隔離層介于所述第2磁性層的另一表面上并對向配置的第3磁性層在內的1個顯現強磁性隧道效應的存儲元件、和分別與所述存儲元件的第1磁性層及第3磁性層相連接的第1及第2晶體管形成的存儲單元；連接在所述第1及第2晶體管的控制端上的字線；通過所述第1晶體管連接在所述第1磁性層上的位線；通過所述第2晶體管連接在所述第3磁性層上并且與所述位線構成位線對的反相位線；和與所述位線及反相位線連接的放大器，

在讀出數據時向已選擇的所述字線輸入信號，同時通過向所述字線輸入信號采用所述放大器讀出在所述位線與所述反相位線之間產生的電位差。