[發(fā)明專利]陶瓷電容器及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 01137856.5 | 申請(qǐng)日: | 2001-11-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1353431A | 公開(kāi)(公告)日: | 2002-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西山俊樹(shù);西野敬之;細(xì)川孝夫;米田康信 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H01G4/12 | 分類號(hào): | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 李湘 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷電容器,其特征在于包含陶瓷CaZrO3和CaTiO3固溶體并且具有滿足下列條件的粉末X射線衍射圖案:
(谷D的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)<0.2以及
(谷E的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)<0.2
其中峰B為約32.0°方向上測(cè)得的CaZrO3-CaTiO3固溶體的(121)平面X射線衍射圖案的峰位,谷D為約31.8°方向上測(cè)得的X射線衍射圖案的谷位,位于約31.6°方向上測(cè)得的CaZrO3-CaTiO3固溶體的(200)平面X射線衍射圖案的峰A與峰B之間,谷E為約32.2°方向上測(cè)得的X射線衍射圖案的谷位,位于峰B與約32.4°方向上測(cè)得的CaZrO3-CaTiO3固溶體的(002)平面X射線衍射圖案的峰C之間。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器,其特征在于所述陶瓷CaZrO3-CaTiO3固溶體具有滿足下列條件的粉末X射線衍射圖案:
(谷D的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)≤0.187以及
(谷E的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)≤0.196。
3.如權(quán)利要求2所述的陶瓷電容器,其特征在于所述陶瓷CaZrO3-CaTiO3固溶體具有滿足下列條件的粉末X射線衍射圖案:
(谷D的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)≥0.158以及
(谷E的X射線強(qiáng)度)/(峰B的X射線強(qiáng)度)≥0.177。
4.如權(quán)利要求3所述的陶瓷電容器,其特征在于具有一對(duì)設(shè)置在所述陶瓷外表面的相互隔開(kāi)的外部電極。
5.如權(quán)利要求4所述的陶瓷電容器,其特征在于具有多個(gè)設(shè)置在所述陶瓷內(nèi)部的相互隔開(kāi)的內(nèi)部電極,至少一個(gè)所述內(nèi)部電極與其中一個(gè)所述外部電極電氣連接,至少一個(gè)其他內(nèi)部電極與所述外部電極的另一個(gè)電氣連接。
6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器,其特征在于具有一對(duì)設(shè)置在所述陶瓷外表面的相互隔開(kāi)的外部電極。
7.如權(quán)利要求6所述的陶瓷電容器,其特征在于具有多個(gè)設(shè)置在所述陶瓷內(nèi)部的相互隔開(kāi)的內(nèi)部電極,至少一個(gè)所述內(nèi)部電極與其中一個(gè)所述外部電極電氣連接,至少一個(gè)其他內(nèi)部電極與所述外部電極的另一個(gè)電氣連接。
8.一種制造陶瓷電容器材料的方法,其特征在于包括以下步驟:
在1100℃-1200℃的溫度范圍內(nèi)煅燒原料CaCO3、ZrO2和TiO2以獲得煅燒原料;
將至少一種燒結(jié)輔助材料加入煅燒原料;以及
在不低于1300℃的溫度下燒結(jié)最終的煅燒原料以制備出包含CaZrO3和CaTiO3作為主成份的陶瓷。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于進(jìn)一步包含以下步驟:在燒結(jié)最終的煅燒原料之前使最終的煅燒原料成形為生片,在生片表面部分涂覆導(dǎo)體并將多個(gè)包含生片的導(dǎo)體裝入層疊體從而使相鄰的導(dǎo)體被生片隔開(kāi)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于還包含在燒結(jié)陶瓷外表面上形成一對(duì)電極的步驟。
11.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于進(jìn)一步包含以下步驟:在燒結(jié)最終的煅燒原料之前使最終的煅燒原料成形為生片,在第一生片表面部分涂覆導(dǎo)體并將第二生片涂覆至相對(duì)第一生片的導(dǎo)體的表面。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于包含在燒結(jié)陶瓷外表面上形成一對(duì)電極的步驟。
13.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于包含在燒結(jié)陶瓷外表面上形成一對(duì)電極的步驟。
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