[發(fā)明專利]光盤及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01137797.6
• 申請(qǐng)日: 2001-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN1351338A
• 公開（公告）日: 2002-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)田清;日野泰守;村上元良;宮武范夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B7/24
• 分類號(hào): G11B7/24;G11B7/26;G11B11/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳,王忠忠

1.一種包括基片和配置在上述基片上的記錄層，用從上述基片一側(cè)入射進(jìn)來的光，以DWDD方式進(jìn)行信息信號(hào)的重放的光盤的制造方法，其特征是：

(i)在上述基片上以第1電介質(zhì)層、上述記錄層和第2電介質(zhì)層的順序形成上述各層的工序；

(ii)采用對(duì)上述記錄層從上述第2電介質(zhì)層一側(cè)照射初始化用的光的辦法，減弱上述記錄層的一部分的磁耦合的工序。

2.權(quán)利要求1所述的光盤的制造方法，其特征是：

上述初始化用激光的波長為λ，

上述第2電介質(zhì)層的厚度為λ/(12×n)以上λ/(2×n)以下(其中，n為第2電介質(zhì)層的折射率)。

3.權(quán)利要求1所述的光盤的制造方法，其特征是：上述初始化用激光是用孔徑數(shù)為0.65以上的物鏡聚光后的激光。

4.權(quán)利要求1所述的光盤的制造方法，其特征是：在進(jìn)行上述(ii)的工序之際，向上述記錄層照射跟蹤伺服用激光來進(jìn)行跟蹤伺服。

5.權(quán)利要求4所述的光盤的制造方法，其特征是：上述初始化用激光的波長比上述跟蹤伺服用激光的波長還短。

6.權(quán)利要求1所述的光盤的制造方法，其特征是：在上述(ii)的工序之后，還具備在上述第2電介質(zhì)層上邊，形成用來調(diào)整上述記錄層的靈敏度的熱傳導(dǎo)層的工序。

7.權(quán)利要求1所述的光盤的制造方法，其特征是：在進(jìn)行上述(ii)的工序之際，在照射上述初始化用的激光之前加熱要照射上述初始化用激光的區(qū)域的上述記錄層。

8.一種包括基片和配置在上述基片上的記錄層，用從上述基片一側(cè)入射進(jìn)來的光，以DWDD方式進(jìn)行信息信號(hào)的重放的光盤，其特征是：

包括配置在上述基片與上述記錄層之間的第1電介質(zhì)層，和對(duì)于上述記錄層來說配置在與上述基片相反一側(cè)的第2電介質(zhì)層，

上述記錄層的一部分的磁耦合，采用照射從上述第2電介質(zhì)層一側(cè)入射進(jìn)來的波長λ的光的辦法減弱，

上述第2電介質(zhì)層的厚度為λ/(12×n)以上λ/(2×n)以下(其中，n為第2電介質(zhì)層的折射率)。

9.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：上述第2電介質(zhì)層由氮化硅構(gòu)成且厚度在40nm～60nm的范圍內(nèi)，

上述波長λ在400nm～410nm的范圍內(nèi)。

10.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：上述第2電介質(zhì)層由氮化硅構(gòu)成且厚度在25nm～30nm的范圍內(nèi)，

上述波長λ在400nm～440nm的范圍內(nèi)。

11.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：上述第2電介質(zhì)層的折射率，比上述第1電介質(zhì)層的折射率大。

12.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：為了調(diào)整上述記錄層的靈敏度，還包括配置在上述第2電介質(zhì)層上的熱傳導(dǎo)層。

13.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：還包括在對(duì)于上述第2電介質(zhì)層來說形成在與上述基片相反的一側(cè)的保護(hù)涂層，

上述保護(hù)涂層比上述基片還薄。

14.權(quán)利要求8所述的光盤，其特征是：在上述基片的上述記錄層一側(cè)的表面上形成臺(tái)階，并用上述臺(tái)階使上述記錄層的記錄磁道進(jìn)行磁隔離。

15.一種包括基片和配置在上述基片上的記錄層，用從上述基片一側(cè)入射進(jìn)來的光，以DWDD方式進(jìn)行信息信號(hào)的重放的光盤，其特征是：在上述基片上，形成用來以采樣伺服方式進(jìn)行跟蹤控制的采樣伺服坑，

在上述基片的記錄重放區(qū)域上，同心圓狀或螺旋狀地形成將成為記錄磁道的溝，

上述記錄磁道的節(jié)距在0.5微米到0.6微米的范圍內(nèi)，

上述記錄磁道，采用使波長λ為400nm到440nm的范圍內(nèi)的激光的激光光斑在溝間部分內(nèi)掃描的辦法，與相鄰的記錄磁道進(jìn)行磁遮斷。

16.權(quán)利要求15所述的光盤，其特征是：包括配置在上述基片與上述記錄層之間的第1電介質(zhì)層，和對(duì)于上述記錄層來說被配置在與上述基片相反的一側(cè)的第2電介質(zhì)層，

上述記錄磁道，采用從上述第2電介質(zhì)層一側(cè)照射激光的辦法與相鄰的記錄磁道進(jìn)行磁遮斷。