[發明專利]光磁記錄媒體及其再現方法無效
| 申請號: | 01137293.1 | 申請日: | 2001-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN1349222A | 公開(公告)日: | 2002-05-15 |
| 發明(設計)人: | 川口優子;村上元良 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | G11B11/10 | 分類號: | G11B11/10;G11B5/62;G11B7/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 鄒光新,王忠忠 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 記錄 媒體 及其 再現 方法 | ||
1.一種光磁記錄媒體,包括襯底、在所述襯底上形成的多層膜,所述多層膜包括第一磁性層、第二磁性層和第三磁性層,所述第二磁性層配置在所述第一磁性層與所述第三磁性層之間,所述第二磁性層的居里溫度TC2比所述第一磁性層的居里溫度TC1和所述第三磁性層的居里溫度TC3都低,所述第三磁性層為垂直磁化膜,在小于所述TC2的溫度區域中的至少一部分中,所述第一磁性層通過與所述第二磁性層的交換耦合垂直磁化,通過所述交換耦合,所述第三磁性層的磁化經所述第二磁性層轉錄到所述第一磁性層,其特征在于所述第二磁性層在室溫下為面內磁化膜,在比室溫高的臨界溫度TCR與所述TC2之間的溫度區中,成為垂直磁化膜。
2.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第一磁性層與第二磁性層相接。
3.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,居里溫度TC2與臨界溫度TCR之差小于100℃。
4.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,居里溫度TC1與居里溫度TC2之差大于100℃。
5.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,居里溫度TC2在130℃以上160℃以下。
6.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第二磁性層包括從GdFe、GeFeCo、GeFeAl、GeFeCr、GdFeCoCr、GdFeSi、GdFeCoSi、GdFeCoAl、TbFe、TbFeCo、TbFeAl、TbFeCr、TbFeCoCr、TbFeSi、TbFeCoSi和TbFeCoAl中選擇的任一種合金。
7.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第二磁性層包括由組合式(GdxFe1-x)1-yMy表示的合金,其中M是從Cr、Si和Al選擇的至少一種,x是在0.15以上0.40以下,y是在0以上0.30以下的數值。
8.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第二磁性層包括由組合式(TbxFe1-x)1-yMy表示的合金,其中M是從Cr、Si和Al選擇的至少一種,x是在0.15以上0.40以下,y是在0以上0.30以下的數值。
9.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,在局部加熱到居里溫度TC2以上的屏蔽區域中,第一磁性層具有小的疇壁矯頑力,疇壁可從通過與第二磁性層的交換耦合被垂直磁化的垂直磁化區域向所述屏蔽區域移動。
10.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第二磁性層和第三磁性層在居里溫度TC2以下的溫度區中的至少一部分中交換耦合。
11.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第二磁性層和第三磁性層之間設置非磁性層,所述第二磁性層和所述第三磁性層在居里溫度TC2以下的溫度區中的至少一部分中靜磁耦合。
12.根據權利要求11所述的光磁記錄媒體,非磁性層的膜厚為1nm以上10nm以下。
13.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第一磁性層在室溫下為面內磁化膜。
14.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第一磁性層在室溫下為垂直磁化膜。
15.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第一磁性層由2個以上的磁性膜構成。
16.根據權利要求15所述的光磁記錄媒體,第一磁性層從第二磁性層側開始順序包含磁性膜a和比所述磁性膜a有更高的居里溫度的磁性膜b。
17.根據權利要求1所述的光磁記錄媒體,第一磁性層與第二磁性層之間具有居里溫度TC4比居里溫度TC2高比居里溫度TC1低的第四磁性層。
18.一種從權利要求1所述的光磁記錄媒體再現信息的方法,其特征在于邊相對所述媒體移動邊照射光束,形成成為在第二磁性層的居里溫度TC2以上比第一磁性層的居里溫度TC1和第三磁性層的居里溫度TC3低的溫度的屏蔽區域和所述第一磁性層通過與所述第二磁性層的交換耦合垂直磁化、經所述交換耦合將所述第三磁性層的磁化經所述第二磁性層轉錄到第一磁性層的垂直磁化區域,通過把所述第一磁性層的疇壁從所述垂直磁化區域移動到所述屏蔽區域而擴大所述垂直磁化區域的磁疇,從擴大的磁疇檢測所述光束的反射光的偏振面的變化。
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