[發明專利]用于液晶顯示器的薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 01137020.3
• 申請日: 2001-10-19
• 公開（公告）號: CN1385743A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 金東奎
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 李曉舒,魏曉剛

1.一種用于LCD的薄膜晶體管，包括：

形成在基板上的柵極布線，該基板包括顯示區和位于顯示區外部的緩沖區，所述柵極布線沿第一方向延伸；

柵極絕緣膜，該柵極絕緣膜形成在柵極布線和基板上，用于部分暴露柵極布線；

形成在柵極絕緣膜上的有源構圖；

被有源構圖部分重疊的數據布線，該數據布線形成在柵極絕緣膜上并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；

形成在數據布線和柵極絕緣膜上的有機鈍化膜構圖，所述有機鈍化膜構圖包括用于部分顯露數據布線的第一通孔和用于顯露部分顯露的柵極布線的第二通孔；

形成在有機鈍化膜構圖上并經數據布線上的第一通孔連接到數據布線的像素電極；以及

形成在有機鈍化膜構圖上并經第二通孔連接到柵極布線上的緩沖電極，

其特征在于，柵極絕緣膜相對于在第二通孔底部邊緣的有機鈍化膜構圖向內凸出。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，柵極布線有用于在第一通孔中的柵極布線的表面上形成凹槽的臺階部分，且臺階部分在第一通孔的側壁處相對于有機鈍化膜構圖凸出。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，柵極布線包括包含形成在顯示區內的柵電極的柵極線，和形成在緩沖區并連接到柵極線端部的柵極緩沖層，并且第二通孔形成在柵極緩沖層上。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，數據布線包括被有源構圖的第一區重疊的第一電極和被有源構圖的第二區重疊的第二電極，第二區與第一區相對，且第一通孔形成在第一電極上。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，還包括位于基板的緩沖區并由與柵極布線相同的層形成的數據緩沖層。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，還包括形成在有機鈍化膜構圖上由與像素電極相同的層形成的橋電極，該橋電極經形成在數據布線端部上的有機鈍化膜構圖處的第三通孔和形成在柵極絕緣膜和數據緩沖層上有機鈍化膜構圖的第四通孔將數據布線的端部與數據緩沖層連接。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，有機鈍化膜構圖在有機鈍化膜構圖的顯示區具有不規則的上表面。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，像素電極具有雙層結構，該雙層結構包括一個透明電極和一個反射電極。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，緩沖電極由單層透明電極制成。

10.一種制造用于LCD的薄膜晶體管的方法，該方法包括步驟：

在基板上形成沿第一方向延伸的柵極布線，該基板包括顯示區和位于顯示區外部的緩沖區；

在柵極布線上形成沿垂直于第一方向的第二方向延伸的數據布線，柵極絕緣膜夾在柵極布線和數據布線之間；

在數據布線和柵極絕緣膜上形成有機鈍化膜；

構圖有機鈍化膜，使得當有機鈍化膜延伸到形成通孔的一個邊緣時它傾斜得越來越小，以形成有機鈍化膜構圖；

通過將有機鈍化膜構圖用作掩膜來蝕刻柵極絕緣膜，以形成用于顯露數據布線的第一通孔和用于顯露柵極布線的第二通孔；

去除位于有機鈍化膜構圖下方的凹槽；以及

在有機鈍化膜構圖上形成經第一通孔連接到數據布線的像素電極和經第二通孔連接到柵極布線的緩沖電極。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，利用一個光掩膜執行形成有機鈍化膜構圖的步驟，其中該光掩膜上形成有部分曝光構圖和全曝光構圖。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，部分曝光構圖具有狹縫結構或半透明膜構圖。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，部分曝光構圖是開口構圖，該開口構圖具有對應于曝光設備的分辨率的一半的線寬。

14.如權利要求11所述的方法，其特征在于，利用光掩膜的部分曝光構圖形成有機鈍化膜構圖的上表面，以具有不規則結構，該不規則結構具有多個凹陷部分和凸起部分。