[發明專利]場發射增強的發光平板顯示器件無效
| 申請號: | 01136072.0 | 申請日: | 2001-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN1337664A | 公開(公告)日: | 2002-02-27 |
| 發明(設計)人: | 徐征;徐敘瑢 | 申請(專利權)人: | 北方交通大學 |
| 主分類號: | G09G3/02 | 分類號: | G09G3/02;G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京港歸專利事務所 | 代理人: | 韓寶田 |
| 地址: | 100044 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 增強 發光 平板 顯示 器件 | ||
一、技術領域
本發明涉及一種固態薄膜發光平板顯示器件,主要是用于中小屏幕的顯示器。
二、背景技術
當前,由于信息存儲的網絡化及個體化,顯示技術必然要從已有幾十年應用歷史的電子束管向平板化發展。平板顯示技術分主動顯示及被動顯示兩大類。被動式顯示的杰出代表是液晶,已占有大量市場,但由于它的工作原理及工藝條件的限制,它的發展注定不如主動發光顯示更有前景。主動發光的平板顯示技術主要包括:用于大屏幕的等離子體顯示、用于中小屏幕的場發射顯示(FED)和無機、有機的薄膜場致發光平板顯示。場發射顯示沿用陰極射線發光原理,以場發射矩陣(FEA)作為初電子源,提供大量初電子,使其在高真空10-9乇中被加速后轟擊發光屏,從而實現發光,它以交叉矩陣的電極控制驅動線路來實現顯示。這種采用場發射矩陣作為陰極的場發射顯示被認為是將陰極射線顯示管平板化的最佳方案,在全球迅速組成了Pixel,Raytheon,等多家公司。但十多年過去了,它仍不能投產,其中最主要的原因是10-9乇的高真空既難達到,又難維持,其電子發射源FEA很容易因受到污染或離子注入而喪失發射電子的功能。這樣,即便克服達到高真空的困難制成了器件,其工作壽命也不長。這使得場發射矩陣的強電子發射功能優勢遲遲得不到實際應用。近年來,無機、有機薄膜場致發光平板顯示器件的研究取得了很大進展,無機薄膜場致發光已有近20年的生產歷史,有機薄膜場致發光已在試制,產品即將問世。顯示出很大的應用前景。尤其是不久前我們提出的申請號為:01120505.9,發明名稱為:“固態類陰極射線發光平板顯示器件”和申請號為:01124195.0,發明名稱為:“混合激發發光平板顯示器件”的兩個發明申請中分別利用類陰極射線發光原理(指在固體中被加速的電子直接碰撞激發發光體產生的發光)和有機無機復合的混合激發發光原理使平板顯示器件的發光亮度能得到有效提高,為其產業化奠定了基礎。但由于受陰極發射電子數量的限制,在有些場合需要有更強的發光、更高的工作功率時,靠現有的薄膜平板顯示器件本身就有困難。
三、發明內容
本發明將場發射矩陣用于薄膜平板顯示器件中作為電子發射陰極,利用其強電子發射的功能優勢,使平板顯示器件的發光亮度和工作功率在現有技術基礎上得到一個很大的提高,從而克服了現有平板顯示技術中高亮度難以實現的難題。
本發明場發射增強的發光平板顯示器件由透明導電層ITO(氧化錫銦)、復合發光層和背電極構成,其特征在于:背電極采用場發射矩陣,由半導體加速層(2)和無機或有機發光層(3)構成的復合發光層是全固態的,復合發光層和透明導電層ITO依次淀積在場發射矩陣上。
本發明的場發射增強的發光平板顯示器件采用場發射矩陣作為薄膜平板顯示器件的背電極,利用場發射矩陣強電子發射的功能優勢,可大大提高器件的激發電流,增大工作功率,提高發光效率,使器件的發光亮度得到很大提高。同時,由于本發明是全固體化的,這既克服了當前場發射顯示器件真空度高難以制備等方面的不足,又可避免場發射矩陣受到污染等因素的影響,使器件的發光壽命得到保證。本發明以其發光亮度高、發光穩定和易于制備的特性具有很強的開發和應用價值。
四、附圖說明
圖1為交流驅動的場發射增強的發光平板顯示器件結構示意圖。
圖2為直流驅動的場發射增強的發光平板顯示器件結構示意圖。
圖中:1為作為背電極的場發射矩陣(FEA),它分為平面型和尖錐形兩種;2為半導體加速層;3為有機或無機發光層;4為透明導電層ITO;ac表示交流驅動;dc表示直流驅動。
五、具體實施方式
實施例1:
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