[發明專利]凈化室及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 01135040.7
• 申請日: 2001-11-16
• 公開（公告）號: CN1360178A
• 公開（公告）日: 2002-07-24
• 發明（設計）人: 松浦崇泰;中瀨春雄
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: F24F7/06
• 分類號: F24F7/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種凈化室，具備第1凈化區與第2凈化區，第2凈化區設在與第1凈化區鄰接的地方；第1凈化區放置投入制造裝置的半導體襯底；操作人員在第2凈化區；其特征在于：

從上方流向下方的第1氣流被導入所述第1凈化區；

從上方流向下方的第2氣流被導入所述第2凈化區；

所述第1氣流的速度大于所述第2氣流的速度。

2.根據權利要求1所述的凈化室，其特征在于：

在所述第1凈化區與所述第2凈化區之間設有將所述第1氣流和所述第2氣流間隔開的間隔物。

3.根據權利要求2所述的凈化室，其特征在于：

送入所述第1氣流的第1氣流送氣口對第1凈化區的面積比大于送入所述第2氣流的第2氣流送氣口對第2凈化區的面積比。

4.根據權利要求2所述的凈化室，其特征在于：

所述間隔物是具有上部開口部及下部開口部的四面結構，

所述上部開口部的面積大于下部開口部的面積。

5.根據權利要求1、2或3所述的凈化室，其特征在于：

所述第1氣流的速度大于所述第2氣流速度的1.3倍。

6.根據權利要求2或3所述的凈化室，其特征在于：

所述間隔物的下端位于從地板起1.2～1.8m的位置。

7.根據權利要求2或3所述的凈化室，其特征在于：

所述間隔物由透明材料構成。

8.一種半導體裝置的制造方法，是在具有第1凈化區與第2凈化區的凈化室中，第1凈化區內放置著投入制造裝置的半導體襯底，第2凈化區設在與第1凈化區鄰接的區域，操作人員在第2凈化區內，通過所述操作人員的操作將半導體襯底投入到所述制造裝置中的工程，其特征在于：

將從上流向下方的第1氣流導入所述第1凈化區；

將從上流向下方的第2氣流導入所述第2凈化區；

所述第1氣流的速度大于所述第2氣流的速度。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置制造方法，其特征在于：

所述第1氣流的速度大于所述第2氣流速度的1.3倍。