[發明專利]真空多元濺射鍍膜方法

無效

• 申請號: 01133487.8
• 申請日: 2001-11-20
• 公開（公告）號: CN1358881A
• 公開（公告）日: 2002-07-17
• 發明（設計）人: 李會斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司
• 代理人: 梁愛榮

1、真空多元濺射鍍膜方法，其特征在于：首先按鍍膜材料的需要選擇交流電源的頻率，將交流電源的兩個電極分別與兩組靶連接，在交流電源的同一個周期里，一組靶由負電位轉變為正電位，而另一組靶由正電位轉變為負電位，使上述兩組靶的電位不斷地處于正負電位的交替變化的狀態；再把兩種元素的鍍膜材料或多種元素的鍍膜材料分別放置在兩組靶上，將交流電源接通并根據薄膜制備工藝的需要分別調節每個靶的功率調節器，使兩組靶上的鍍膜材料在真空氣體放電的環境下發生濺射，被濺射的鍍膜材料沉積到襯基上，則在襯基上得到多種元素鍍膜材料之間比例可調的薄膜。