[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光元件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01131277.7
• 申請日: 2001-08-29
• 公開（公告）號: CN1340890A
• 公開（公告）日: 2002-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹內(nèi)邦生;廣山良治;岡本重之;富永浩司;野村康彥;井上大二朗
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 沈昭坤

1.一種半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，具備

基板、

形成于所述基板上，包含構(gòu)成諧振器的活性層的激光元件結(jié)構(gòu)、以及

形成于所述激光元件結(jié)構(gòu)上的電極層，

所述激光元件結(jié)構(gòu)在上表面具有隆起部，

所述電極層在所述隆起部上的區(qū)域具有0以上的第1膜厚，除所述隆起部以外的區(qū)域具有比所述第1膜厚更大的第2膜厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第2膜厚大于所述隆起部的高度與所述第1膜厚的總和。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述電極層包含

形成于所述激光元件結(jié)構(gòu)的上表面，覆蓋所述隆起部的至少一部分的第1電極，以及

除了起因于所述隆起部，形成于所述第1電極的隆起區(qū)域外，在所述第1電極上形成的第2電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第1電極和所述第2電極用相同的材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述第1電極和所述第2電極用不同的材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述激光元件結(jié)構(gòu)依序包含第1導(dǎo)電型覆蓋層、活性層、第2導(dǎo)電型覆蓋層，

所述第2導(dǎo)電型覆蓋層具有平坦部和形成于所述平坦部上的帶狀區(qū)域的脊部，

所述激光元件結(jié)構(gòu)還包含在所述脊部的兩側(cè)的所述平坦部上、所述脊部的側(cè)面、以及所述脊部的上表面的諧振器端面一側(cè)的區(qū)域形成的第1導(dǎo)電型電流阻擋層，

所述隆起部因所述脊部的上表面的端面一側(cè)的區(qū)域上形成的所述電流阻擋層而形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述隆起部由形成于兩諧振器端面?zhèn)鹊囊粚β∑鸩糠謽?gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述活性層具有量子井結(jié)構(gòu)，所述活性層的諧振器端面一側(cè)的區(qū)域具有比所述活性層的其他區(qū)域大的能帶間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述活性層的諧振器端面?zhèn)鹊膮^(qū)域因雜質(zhì)的引入，具有比所述活性層的其他區(qū)域大的能帶間隙。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述活性層的諧振器端面?zhèn)鹊膮^(qū)域由于自然超晶格結(jié)構(gòu)的無序化，而具有比所述活性層的其他區(qū)域大的能帶間隙。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

還具備安裝于所述電極層上的散熱體。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述電極層在所述隆起部上的區(qū)域具有比0大的第1膜厚，在除了所述隆起部外的區(qū)域具有比所述第1膜厚大的第2膜厚。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，

所述電極層在所述隆起部上的區(qū)域具有膜厚為0的第1膜厚，在除了所述隆起部外的區(qū)域具有比0大的第2膜厚。

14.一種半導(dǎo)體激光元件制造方法，其特征在于，具備

基板上形成包含構(gòu)成諧振器的活性層的激光元件結(jié)構(gòu)，所述激光元件結(jié)構(gòu)的上表面上形成隆起部的工序、

在所述激光元件結(jié)構(gòu)上形成在所述隆起部上的區(qū)域具有比0大的第1膜厚，在除了所述隆起部外的區(qū)域具有比所述第1膜厚大的第2膜厚的電極層的工序。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光元件制造方法，其特征在于，

所述第2膜厚大于所述隆起部的高度與所述第1膜厚的總和。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光元件制造方法，其特征在于，

形成所述電極層的工序包含

在所述激光元件結(jié)構(gòu)的上表面上形成第1電極以覆蓋所述隆起部的至少一部分的工序，以及

除了起因于所述隆起部，形成于所述第1電極的隆起區(qū)域外，在所述第1電極上形成第2電極的工序。