[發(fā)明專利]晶片操作頻率調(diào)整電路及方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01129363.2 | 申請日: | 2001-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN1391268A | 公開(公告)日: | 2003-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃鴻儒;白宏達 | 申請(專利權(quán))人: | 矽統(tǒng)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 穆魁良 |
| 地址: | 臺灣省新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 操作 頻率 調(diào)整 電路 方法 | ||
1.一種晶片操作頻率調(diào)整電路,其特征是:其至少包含:
一用以根據(jù)一電源信號而輸出一測試時脈信號的環(huán)振蕩器,耦接于一晶片;
一將上述測試時脈信號與一既定時脈頻率進行比較并輸出一電壓信號的控制電路,耦接于上述環(huán)振蕩器;
一用以依據(jù)上述的電壓信號而調(diào)整上述電源信號電壓值的電壓調(diào)整電路,耦接于上述控制電路。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片操作頻率調(diào)整電路,其特征是:其中上述環(huán)振蕩器由奇數(shù)個的彼此耦接的反向器所組成。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片操作頻率調(diào)整電路,其特征是:其中上述控制電路包括:
一用以接收上述測試時脈信號并計算上述測試時脈信號的頻率的頻率計算電路;
一用以比較上述測試時脈信號及上述既定時脈頻率、當上述測試時脈信號的頻率低于上述既定時脈信號的頻率時,則輸出上述電壓升高信號的頻率比較電路,耦接于上述頻率計算電路。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片操作頻率調(diào)整電路,其特征是:其中上述既定時脈頻率為上述環(huán)振蕩器于理想狀態(tài)的振蕩頻率。
5.一種通過如權(quán)利要求1所述的晶片操作頻率調(diào)整電路而實現(xiàn)的晶片操作頻率調(diào)整方法,其特征是:包括下列步驟:
提供一于制作過程中即同時植入一環(huán)振蕩器的晶片;
偵測上述環(huán)振蕩器所輸出的測試時脈信號的頻率;
根據(jù)所偵測的測試時脈信號的頻率而調(diào)整輸入上述晶片的工作電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片操作頻率調(diào)整方法,其特征是:其還包括下列步驟:
當上述晶片操作于標準模式時,若上述環(huán)振蕩器所輸出的頻率小于一第一既定頻率時,則提高上述工作電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片操作頻率調(diào)整方法,其特征是:其中上述第一既定頻率為上述環(huán)振蕩器于標準模式時所輸出的理想時脈頻率。
8.如權(quán)利要求5所述的晶片操作頻率調(diào)整方法,其特征是:還包括下列步驟:
當上述晶片操作于省電模式時,若上述環(huán)振蕩器所輸出的頻率大于一第二既定頻率時,則降低上述工作電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的晶片操作頻率調(diào)整方法,其特征是:其中上述第二既定頻率為上述環(huán)振蕩器于省電模式時所輸出的理想時脈頻率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于矽統(tǒng)科技股份有限公司,未經(jīng)矽統(tǒng)科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01129363.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:去污清潔劑
- 下一篇:太陽能蓄熱供暖供冷方法及裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 色相調(diào)整系統(tǒng)及其調(diào)整方法
- 調(diào)整設備和調(diào)整方法
- 踏板調(diào)整結(jié)構(gòu)及調(diào)整步態(tài)的調(diào)整方法
- 立體深度調(diào)整和焦點調(diào)整
- 調(diào)整裝置及其調(diào)整方法
- 噴嘴調(diào)整工具及調(diào)整方法
- 調(diào)整系統(tǒng)及調(diào)整方法
- 調(diào)整裝置以及調(diào)整方法
- 環(huán)境調(diào)整系統(tǒng)、環(huán)境調(diào)整方法及環(huán)境調(diào)整程序
- 功率調(diào)整器(調(diào)整)





